我們以磁控濺鍍製備非蒸發式吸氣薄膜(NEG film)。經活化後，這些薄膜在無幫浦下可維持超高真空(10-10 Torr)，活化溫度低於200 ℃，經活化後的吸氣劑薄膜吸附真空系統中殘餘的氣體以達到所需的真空度。真空系統中常見的殘餘氣體有H2、H2O、CO、CO2。

本技術利用先進的磁控濺鍍技術製備非蒸發式吸氣薄膜，活化溫度低於200 ℃，成功實現1米長、管徑22毫米真空腔在無幫浦情況下達到超高真空(10-10 Torr)的目標。

非蒸發式吸氣薄膜適用於加速器、MEMS、半導體、光電子及醫療儀器，能替代真空幫浦，提升真空系統穩定性，具有廣泛應用潛力及經濟效益。