光感測器是物聯網的核心元件，然而大多數只能提供暫態光電流。陳蓉瑶副教授團隊開發的超快速光記憶體具有0.7 ms的光寫入時間，1.91×10^4 mA W-1的光響應性，以及128階層的記憶功能。此光記憶體結合氫氣感測薄膜，能夠記錄氫氣洩漏週期和濃度，有助於預測洩漏管線位置並改善管線氣體洩漏情況。

光感測器為物聯網之核心組件，然而大多的光感測器只能提供暫態光電流，一旦移除光源電流即消失，因此需要額外處理器來儲存光刺激。。我們結合嵌段共聚物和有機無機室溫磷光二維鈣鈦礦，實現0.7 ms的極短光寫入時間、高達1.91×10^4 mA W-1之光響應性並具備128階層之記憶行為。

揮發性快閃光記憶體可應用在大數據儲存和光無線通信。在物聯網產業中，光記憶體的多階層記憶效果搭配人工神經網絡模型，將可處理複雜影像分析和預測。搭配氣致變色薄膜將可偵測氫氣濃度與洩漏週期，將可改善氫氣管線洩漏狀況。