原子層鍍膜(ALD)是半導體先進製程中的關鍵技術，現有方法未能解決溝渠填補中的孔隙問題。本團隊在國科會和業界支持下，歷經十年開發光催化原子級精準薄膜沈積技術，克服傳統限制，於高深寬比之結構晶片中成功填入無縫隙、無微孔、低雜質的介電材料，目前與多家上下游半導體公司合作，推進這一創新技術的商業化。

將光源引入半導體製程看似間單但卻極其困難，眾多且複雜的光催化中間產物在鍍膜過程污染了透明的光源視窗，影響了後續的光輔助催化反應，因此，目前並沒有光輔助鍍膜設備的出現。本團隊藉由照光系統以及製程腔體的特殊設計，侷域化光催化反應，避免了玻璃視窗的污染，並提供一個全新的薄膜成長機制，提供品質更優異的薄膜。

LIP-ALD最重要的產業應用在於高精度的先進半導體製程，能有效進行結構填補；光催化過程亦可針對不同鍍膜材料調整光源波長與光強度，達到差異化的表面沈積；金屬沈積時，能有效降低碳、氧、氮等雜質殘留，使金屬薄膜的電導率更高，降低RC延遲效應，可應用在高效能運算晶片、特殊高階之太空晶片與國防晶片鍍膜。