本團隊自主開發一種新的半導體製程技術與設備，能在低溫下（<250攝氏度）消除半導體元件中的材料缺陷，進而使半導體元件的特性提升、可靠度改善，該技術已多種半導體元件如LED、GaN 功率元件、SiC MOSFET上進行測試，都有明顯的特性提升效果。

在半導體製程技術中，一般常使用高溫退火及電漿方式來改善材料的缺陷問題。本團隊開發的低溫缺陷消除技術，其原理新穎，可以導入特定化學物質進入半導體材料中，並大幅鈍化材料缺陷，進而提升元件性能與可靠度。技術的突破性在於能在低溫(250°C)環境下，能有效消除材料缺陷。

本技術應用範圍廣泛，包含Si元件、寬能隙半導體((LED, GaN HEMT, SiC MOSFET)，並且由於低溫的優勢，可以在IC製造中前段及後段製程皆可導入。

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