"1.	本團隊是國內唯一擁有自前段材料磊晶至後段元件製程完整設備與技術能力之團隊，且在氮化鎵高功率元件上已耕耘多年，擁有多項關鍵元件技術，所製備之氮化鎵元件技術水準與世界領先集團並駕齊驅。 
2.	氮化鎵材料具有高崩潰電場、寬能隙、高飽和速度之重要特性，更有利於應用於高功率微波元件上，並可於遠距離之

"1.	國內學界在氮化鎵相關之寬能隙的研究發展上，主要著重在材料及光電元件(如發光二極體，雷射發光二極體)的製作；在微波功率元件的製作方面，本團隊是國內唯一擁有自元件製程與射頻設計的完整設備與技術能力之團隊，且在氮化鎵高功率元件上已耕耘多年，擁有多項關鍵元件技術，包含：誘導電耦極電漿(ICP) 乾式

"本團隊是國內唯一擁有元件製造、設計模擬、測試與模組設計等氮化鎵產業完整研發能力的團隊。氮化鎵高頻高功率元件應用領域廣泛，主要應用領域包括了太空通訊、地面衛星通訊、基地台、物聯網、主動雷達等應用，以上產品皆有台灣製造之痕跡，如：基地台（中磊、正文、智易、啟碁、明泰、建漢、台揚、合勤控）、衛星通訊（兆