採用寬能隙元件(GaN HEMT)建構的高功率轉換器應用。技術面由6-吋晶片開始研發到系統端應用，涵蓋6-吋矽基GaN磊晶層之優化，如磊晶緩衝層厚度和通道層。到元件製程開發跟模型建立，也利用TSMC E-mode GaN HEMT和NDL E/D-mode實現積體電路設計之低側GaN HEMT邏輯閘

採用寬能隙元件(GaN HEMT)建構的高功率轉換器(converter)系統，目前完成測試到1 MHz/1000 W。技術由6-吋晶片開始到系統端應用，涵蓋6-吋矽基GaN磊晶之優化和元件製作。以及積體電路設計之低側GaN HEMT邏輯閘( 2MHz)設計。

產業應用性可,由最上游的磊晶技術,中游的製程技術和元件模型,最後的轉換器/換流器電路(變壓器)應用。符合台灣半導體業在矽基的另外GaN選擇方案。