| 技術名稱 | 首次展示用鉿鋯鐵電閘極使負電容砷化銦鎵之金屬氧化物半場效電晶體次臨界擺幅小於20毫伏 | ||
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| 計畫單位 | 國立交通大學 | ||
| 計畫主持人 | 胡正明 | ||
| 技術簡介 | 我們實現使高臨界電壓增強型的氮化鎵功率元件擁有高汲極電流。閘極的鐵電層可以束縛住電荷，大大增加臨界電壓。有臨界電壓6伏特的增強型氮化鎵金屬絕緣半導體之最大汲極電流可達720毫安培。崩潰電壓亦大於1100伏特。 |
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| 科學突破性 | - |
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| 產業應用性 | 受限於波茲曼分布的物理限制，電晶體雖隨著微影技術進步微小化，元件臨界擺幅 (Subthreshold Swing) 的最低極限為60 mV / decade。負電容場效電晶體(negative-capacitance FET, NCFET)可以有效地降低次臨界擺幅、具低功率損耗與臨界電壓、改善靜態雜 |
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| 關鍵字 | |||
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- 伍鯨元
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