本技術可大面積合成高品質石墨烯，以高密度繞捲方式，搭配特殊設計之柔性擴散層，克服成產率限制，並發展超潔淨轉印技術，獲得高質化之石墨烯晶圓，並達工業化與市場化之需求。同時發展六吋石墨烯矽晶圓，延伸於磊晶基板，可解決藍寶石基板散熱不佳、Si基板晶格不匹配與SiC、GaN基板價格昂貴的瓶頸。

1. 以經濟的設備來獲得有效益的大面積石墨烯合成，高密度繞捲方式規模化石墨烯合成，且具有良好的品質。當腔體直徑達8 inch時，產率可提升至6.7 m2/h，可降低成本。2.超高潔淨轉印製程，使表面潔淨度達到製作電子元件的規格。3.在石墨烯做為Si基材上緩衝層進行GaN磊晶製程，獲得高品質結晶態。

石墨烯其晶格結構與GaN之晶格有良好的匹配性，可應用於磊晶製程。若將高品質石墨烯轉印於矽晶圓上進行磊晶，將可解決習用之藍寶石基板所遭遇散熱不佳、與Si基板晶格不匹配與SiC、GaN基板價格昂貴的瓶頸。可生產出高效能以及成本優勢的利基型元件，如高功率/高頻電子元件、微波元件、短波長LED/Laser。

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