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電子與光電 創新發明館 以光纖陣列為基礎之數位化滾筒模具的製造技術
本技術結合數位光學處理技術、光纖與微透鏡陣列、精密伺服運動控制，形成一完整之「UV光筆陣列直寫」式的數位UV曝光系統，可以在一金屬滾筒模仁上製作出任意複雜圖型、細線寬、且無縫的微結構，完成一用於滾印製
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電子與光電 創新發明館 高精度無光罩式UV曝光機應用於IC載板與先進封裝產業
本技術結合數位光學處理技術、微透鏡與空間濾波器陣列、精密伺服運動控制，形成一完整之無光罩式數位UV曝光系統，可以在一大面積基板上製作出任意複雜圖形、細線寬的光阻微結構，應用於IC載板與先進封裝產業。
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電子與光電 創新發明館 帶通濾波器的濾波元件及帶通濾波電路
懸浮帶線結構帶通濾波器設計，基板的雙面同時用來設計電路圖案。電路以LC集總元件模型分析其頻率響應，在同類型濾波電路中首創源載耦合設計概念，產生兩個可調控的傳輸零點效果，有效的強化通帶與止帶的訊號選擇性
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電子與光電 創新發明館 共面波導接地面缺陷裝置
本發明提供一種具濾波特性的共面波導接地面缺陷裝置。本發明的共面波導結構，藉簡單的缺陷結構產生自身共振特性，並形成電容、電感與電阻彼此並聯的等效電路，以獲得所需之通-禁帶特性、洩漏波特性以及慢波特性。
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電子與光電 未來科技展 應用於遙測衛星之黑白CMOS時間延遲積分影像感測器設計
本計畫為第二代遙測衛星CMOS影像感測器(CIS)開發整合計畫，主要演進為其對地解析能力(GSD)規格從2米提升為小於1米。設計上導入CMOS 時間延遲積分(TDI)技術，在晶片實現上採用背照式(BSI) CIS 0.11um製程搭配光罩拼接技術進行大尺寸12 公分之CMOS影像感測器的製作。
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電子與光電 未來科技館 超世代1.6Tb/s矽光子光發射傳輸晶片
本「超世代1.6Tb/s矽光子光發射傳輸晶片」利用矽光子製程技術整合多個光端面耦合器、光分路器、光調制器、及獨創的4x16 AWG光分波多工器等約50個光元件於一顆5mm x 5mm的晶片上，經量測驗證具備傳輸數度達1.6Tb/s得可行性，為目前國內外單位晶片面積上總傳輸速度最高的矽光子晶片。
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電子與光電 未來科技館 衛星遙測大氣氣膠廓線在三維PM2.5之建構與區域空氣污染之監測
基於十年長期地面實測資料，藉由單峰型態的氣膠消光廓線對數常態分布之特性，同時考量季節性行星邊界層與近地表均勻混合高度之變化，以氣膠光學厚度和行星邊界層高度建構合理的氣膠垂直分布，驗證之相關係數達0.9，且前瞻地應用於衛星在區域性三維氣膠空間分度之建構，克服現階段國際上之限制。
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電子與光電 未來科技館 全球電離層海嘯監測與預警系統-太空浮標
利用既有全球導航衛星系統GNSS地面接收機所量測之全電子含量，建置太空浮標觀測網，即時監測海嘯引起之電離層擾亂。藉此，確認海嘯生成位置與傳播，以為即時海嘯預警系統。
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電子與光電 未來科技館 整合製圖導航與雷射掃描顯微光譜影像技術提升樣品光電檢測的自動化
「台大凝態中心光電工坊」成功研發光學顯微鏡的樣品地圖與導航技術。此光機電整合系統可自動化擷取高解析光學影像及產製數位化樣品地圖，並直接於數位地圖中搜尋與定位樣品熱區位置，再移動載台將熱區置於視野中心。此技術可與共軛焦雷射掃描顯微光譜技術整合串聯，進而擷取樣品熱區雷射光譜影像，大幅提升光譜量測的效能。
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電子與光電 未來科技館 4G/5G邊緣運算平台之通透式佈建技術
本團隊開發之通透式邊緣運算平台佈建技術，整合五個重要元件，包含位置解析代理模組、封包閘道器、GTP通道控制模組、GTP數據流工程模組和管理模組，使得4G/5G邊緣運算平台相容於標準，只需將基地台和核心網連接至該平台，不需對它們作修改或設定，即可提供邊緣運算服務，且利用虛擬化技術動態支援多項應用服務。
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電子與光電 未來科技館 5G/B5G毫米波陣列天線快速校正與波束定位
陣列天線為毫米波系統標配，其短波長、材料高損耗、製程難度高，眾誤差造成天線系統高度失能，由研發到產品場域層層疊疊多重校正，產生高成本、低良率、低生產速度。本技術以電子式取代機械式，善用陣列天線高操控性來取得輻射特性，簡化校正系統架構、縮短時間至秒級，克服系統產業化研發、產線、場域實現技術與成本瓶頸。
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電子與光電 未來科技館 一種具有超高性能之超晶格自旋轉移力矩磁阻式記憶體SS-MRAM
本發明超晶格磁阻式記憶體SS-MRAM，主要使用人造超晶格材料做為勢壘層。SS-MRAM集聚SRAM、 DRAM與Flash之優點，包含高速讀寫、低讀寫耗能、高耐久性、元件尺寸小、非揮發性、無漏電、及零待機耗能等。並且具有與目前製程相容、製造容易、及高可靠性等特性。為一具有超高性能之下世代記憶體。
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電子與光電 未來科技館 低溫半導體缺陷消除技術
本團隊自主開發一種新的半導體製程技術與設備，能在低溫下（<250攝氏度）消除半導體元件中的材料缺陷，進而使半導體元件的特性提升、可靠度改善，該技術已多種半導體元件如LED、GaN 功率元件、SiC MOSFET上進行測試，都有明顯的特性提升效果。
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電子與光電 未來科技館 大面積及高色純度紫光及綠光鈣鈦礦發光二極體
有別以往單一溶液或蒸鍍法，我們結合熱蒸鍍和旋轉塗佈法各自優點，製作出大面積9平方公分鈣鈦礦LED元件，其啟動電壓約為1.5 V、電激發波長在405 nm及538 nm、頻譜半高寬為22.8 nm、色純度為95，除此之外，元件壽命可達一小時以上，這顯示結合熱蒸鍍和旋轉塗佈法在大面積元件有優勢。
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電子與光電 未來科技館 突破物聯網的最後一哩：無晶片射頻辨識
本研究目的為國內、外首度實現無晶片射頻辨識於特定應用，以無晶片標籤紀錄圖書館書籍的入藏號碼；不僅系統建置成本遠比傳統射頻辨識低，人力與時間成本也可縮減，管理效率大幅增加。本技術也拓展至物聯網，為感測器路、定位、票卷防偽、醫療衛生、食品安全等應用提供前瞻技術。
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電子與光電 未來科技館 羽量積體化車載慣性導航系統
將孕育十週年的積光陀螺儀技術，應用於車體慣性定向，於隧道內無GNSS訊號下之實測誤差量，與國際市售一萬美元之模組達到類似精確度，實測移動7.8公里，誤差89公尺與73公尺，整體誤差比例因子分別為MEMS (55)、GNSS(4.5)、本團隊模組(1.1)國際市售慣性級FOG(0.9)。
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電子與光電 未來科技館 毫米波大型垂直貼片式相控天線陣列與寬頻RFIC
首創(a)超薄型毫米波雙極化寬頻天線，較過去成果具厚度優勢(b)3D雙曲面空腔結構增加垂直貼片天線頻寬，較過去具頻寬優勢(c)毫米波多功能RFIC整合技術，大幅降低封測廠毫米波RFIC自動測試方案成本及(d)低變異量頻率可重置之寬頻切換式相移器，大幅切換頻帶時仍維持低振幅與相位變異量。
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電子與光電 未來科技館 黃光微影覆蓋量測之抽樣與預測及增量學習模型之應用
透過「微影覆蓋誤差量測的抽樣與預測」技術，降低誤差量測的成本與時間，以提高製程效率。經由分群技術與機增量學習模型演算法找出關鍵量測點，建立黃光覆蓋誤差量測點的減點演算法，並可因應產品客製化要求、晶圓種類繁複與樣本資料量測量少的問題，動態增量學習不同資料特徵，以達優化減點與降低成本之目標。
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電子與光電 未來科技展 碳化矽單晶片功率系統平台
研發碳化矽單晶片功率系統平台，包含低壓CMOS元件與邏輯電路、高壓BCD元件與驅動電路、垂直型高功率超接面MOSFET 等元件、製程、電路之整合技術，各項規格均超越現有國際水準。可應用於能源網路、軌道運輸、新能源汽車、地質探勘、航太國防等產業。
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AI與IOT應用 未來科技展 應用於低功耗終端裝置的仿神經智慧視覺系統
1.低功耗智慧視覺影像感測晶片 2.基於仿神經智慧之低延遲低功耗深度學習晶片實現 (與張孟凡教授所執行之科技部計畫"低功耗智慧型記憶體電路之探索"(MOST 108-2622-8-007-009)合作) 3.模擬昆蟲視覺與空間感知系統之仿神經網路與晶片 4.仿神經智慧晶片軟硬體
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電子與光電 未來科技展 內崁式智慧紡織顯示模組
國立台北科技大學（NTUT）宣布推出最新方法“嵌入式智能紡織品陣列顯示模塊”（ESTAD模塊）。 ESTAD模塊涉及兩個部分，一個是電路，另一個是控制盒。 該電路將無縫地連接織物，這可以扭曲和摩擦以適應各種設計。 控制箱的設計小於當前形式，以放入口袋或隱藏在潛在應用中的某個地方。
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電子與光電 未來科技展 單晶片量子點混合型微型發光二極體全彩畫素陣列
採用奈米尺度的蝕刻技術，在商用的綠光二極體磊晶片製作環形奈米結構，以應力釋放機制調變發光波長，於單一磊晶片上製作出綠光和藍光的微型發光二極體，並導入原子層沉積鈍化保護技術，大幅提升發光效率，最後結合高精準度的量子點噴塗技術，實現微米級RGB三原色的全彩畫素，本技術可望大幅減少巨量轉移的次數。
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電子與光電 未來科技展 晶片型積體量子偏振糾纏光源
本團隊發展出獨特的積體晶片型量子偏振糾纏光源，此晶片中除了產生量子偏振糾纏光子對之外，也利用特殊設計的絕熱光能量耦合陣列，整合量子穿隧效應的偏振相依分光現象於同一單晶鈮酸鋰晶片中，使產生之偏振相依糾纏光子對能於空間中分光，並可配合外部結構進行相對光程與相對相位調制，用來控制偏振糾纏光子對的特性。
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電子與光電 未來科技展 創新無線定位與追蹤系統
iTech是由國立臺灣大學的毛紹綱教授創立的，他是無線通訊和信號處理領域的專家。它的科技已經在Macronix金獎矽獎中得到認可。iTech是採用人工智慧科技的先驅，該科技結合了高效的硬體架構和訊號處理器。
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