本團隊在低阻值且零度角度的SiC基板上成長p-GaN HEMT，並且利用寬能隙材料AlGaN做為蓋帽層，藉此可以有效抑制電洞注入，達到提升閘極可靠度的目的。另外，本團隊選用零度角以及低阻值的SiC基板，除了可以大幅減少異質接面造成的晶格錯位缺陷之外，同時也大幅降低了整體成本。

在此研究中，AlGaN cap以及零度角度且低阻值SiC基板都是首次被應用在p-GaN HEMT，而本團隊更是將兩者結合，成功開發出全新的高壓、高穩定性的p-GaN HEMT結構。

本團隊將AlGaN磊晶於p-GaN層上方，使閘極偏壓範圍20V，期望可以共用傳統矽元件的閘極驅動器，並且同時增加了閘極的操作安全電壓。另外，本團隊也將p-GaN HEMT磊晶於低阻值且零度角度的SiC基板上，使GaN on SiC元件在緩衝層的位置能夠有較低的晶格缺陷密度，並且也有較低的價格。

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