碳化矽具顯著高能隙優勢，成為淨零排放科技的首選材料。然其高硬度與強化惰性使表面拋光成為製程瓶頸，現有技術面臨低移除率、高成本及環境污染問題。微波創新技術則無需添加重金屬或催化劑，乃在固-液界面激發電子實現潔淨氧化還原反應，將表面轉為易拋氧化物，提升拋光效率，具推動半導體製造業朝經濟、高效、環保發展。

碳化矽有優異的電氣特性，但其極高硬度和化學惰性使表面拋光困難，成為產業應用瓶頸。現存化學機械拋光技術在此材料領域面臨極低效率及廢棄液污染問題。本技術應用潔淨的微波製程，在固-液界面進行強烈氧化還原反應，優先瓦解在表面突出之碳-矽表面原子簇，弱化表面硬度達到拋光目的。因不使用重金屬，故環保且無污染。

聯合國2050年全球淨零排放政策，電動車2025市場滲透率為18，2030達35，產值九千億美元。碳化矽是功率元件的關鍵材料。SiC材料元件製造中，表面拋光技術門檻最高，佔總成本15以上。新技術利用微波化學原理進行快速拋光，滿足產業需求，更具高效能源使用和低碳排放優勢，可望快速切入工具機市場。