技術名稱 | 二維材料的未來:電晶體、透明導電電極、光偵測器 | ||
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計畫單位 | 中央研究院 | ||
計畫主持人 | 林時彥 | ||
技術簡介 | 導電性二維材料作為半導體二維材料的低接觸電阻電極 → 全二維材料介面電晶體 二維材料的凡德瓦磊晶 → 具奈米薄金屬/二維材料透明導電電極的發光二極體及太陽能電池 奈米電漿子共振結構與二維材料相互作用→ 超高響應度之超薄光電晶體 大面積多層二維材料成長 → 垂直式光伏偵測器及低響應時間平面式光導偵測器 |
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科學突破性 | 接觸電極的結晶程度以及非二維材料介面為影響二維材料電晶體的元件特性最主要的因素。 二維材料表面的高導電度的奈米金屬薄膜除了可應用在後端金屬連接線之外,也可以作為放光及收光元件的透明導電電極。 以奈米電漿子共振結構增強原子尺度光物質交互作用,我們開發出具高響應度以及偵測度之單層二維材料光偵測器。 |
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產業應用性 | 高效能二維材料電晶體 → 次奈米線寬電子元件 奈米導電薄金屬/二維材料透明導電電極 → 雙面量子點發光二極體以及雙面太陽能電池 奈米電漿子共振結構 → 高偵測度光偵測器 |
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關鍵字 | 大面積二維材料 二維材料異質結構 全二維材料介面電晶體 全二維材料記憶體 低接觸電阻電極 透明導電電極 發光二極體 太陽能電池 奈米電漿子共振結構 光偵測器 |