單晶島技術係利用冷卻孔、島狀矽或鍺結構與雷射結晶技術，控制結晶時矽或鍺的長晶方向而形成形狀規則的單晶島狀矽或鍺，將元件製作於單晶島中將大幅提升晶片的特性與良率。因此，本技術同時擁有高品質堆疊元件、低熱預算與高產能等特性，將是未來實現三維積層型積體電路的關鍵技術。

積層型三維積體電路將是未來半導體工藝的指標性技術之一，本團隊利用單晶島技術成功製備出大小為數平方微米的單晶島狀矽或鍺陣列，將可大幅提升電晶體的與電路的特性與良率，並證明了本技術對下層電路的低熱影響性(300℃)。單晶島技術將會是未來三維積體電路中的重要技術。

隨著物聯網產業的興起，具高效能、低功秏和多功能整合的晶片需求日益增強，積層型三維積體電路被視為是其中的關鍵技術。本團隊的單晶島技術契合業界需求：高品質堆疊元件、低熱預算與高產能，將是未來重要技術。本成果已由台積電申請此技術專利並發表於國際固態電子元件頂級會議(2018~2021IEDM)。