結晶矽晶粒邊界控制技術係先在絕緣層上蝕刻出規則孔洞，成長一定厚度非晶矽薄膜後，以奈秒雷射加熱熔融非晶矽形成結晶矽薄膜，由於製程中孔洞相對溫度較低，矽薄膜先從孔洞底側向結晶；最後結晶矽薄膜晶粒可控制在預先設計的規則孔洞圖案之間，製作元件於矽晶粒中可提高晶片效能及良率，以利商品化及量產積層型3D晶片。

積層型電晶體製造技術為目前半導體製造重要指標技術之一，我們提出一種結晶矽薄膜晶粒邊界控制技術，可相容於現今半導體製程技術，利用晶粒控制技術製作積層型電晶體，可降低電晶體變異性，進而提高積層型電晶體效能及良率，以利積層型3D晶片達到可商品化且量產之技術。

近年來物聯網產業的興起及其晶片的強烈需求，更促進了半導體產業不斷地朝向具有低功耗、多功能的晶片設計及製造。積層型3D IC具備了以下特點：(1)較低的製造成本；(2)超微細之垂直連導線訊號傳輸可實現較小的晶片面積及較輕微的寄生效應；(3)高度異質整合之能力。此類需高度整合之技術適合應用於物聯網及人工