本發明為一種利用磁性催化流體感測的方法，用以對一流體進行感測，利用TSMC 0.35 μm 2P4M CMOS-MEMS標準製程設計及製作一網格狀堆疊式氣體感測晶片，利用CMOS-MEMS製程設計製作所需之感測元件，並透過後製程蝕刻處理成功將感測結構懸浮。結合氣體感測電路進行一氧化碳氣體量測。將摻雜磁性物質四氧化三鐵之二氧化錫作為感測材料，並提出一磁性催化感測機制，透過不同磁場強度及角度，來提高氣體偵測之靈敏度。

本發明為一種利用磁性催化流體感測的方法，在CMOS-MEMS標準製程設計及製作氣體感測晶片。塗佈摻雜磁性物質之二氧化錫作為感測材料，利用磁性增強化學反應的機制，施加不同磁場強度及角度，來提高氣體偵測之靈敏度。

本專利之低功耗之氣體感測器元件新技術與應用，可以廣泛地應用在既有的用途上，如工廠設備之安全監控、危害環境之環境檢測、室內外空氣品質的監控、特定危險場所之從業人員如煤礦礦工的頭罩、氣體濃度校驗設備等。前述應用情境之氣體感測器的設計，氣體檢測高精準度、特定用途、專業從業人員或設備專用等的應用需求與特性。