針對三種MRAM [1]自旋轉移矩(spin-transfer torque, STT)型、[2]自旋軌道矩型(spin-orbit torque, SOT)以及 [3]電場控制型(voltage control magnetic anisotropy,VCMA)進行研究並與產業結合。

整合50nmSTT在28nmCMOS上並且能利用電驅動寫入/讀取。耐熱溫度達350℃。
初步8x8陣列電路設計，可獨立讀寫。
微磁模擬探討STT翻轉之不對稱性，提高翻轉效能與穩定性。
MTJ界面崩潰機制研究，提高元件壽命。
反鐵磁基SOT寫入機制優化，提升熱穩定性。

MRAM與自旋電子學被視為開拓後摩爾定律時代元件發展的重要領域，對低功耗智慧晶片和感測器應用等都將扮演重要角色。然而國內目前仍極缺乏磁元件領域之人才及自有技術專利，本計畫將整合研發資源，鼓勵研究團隊投入，訓練專業人才，布局先進技術專利，並且將建立磁元件量測平台，提供各界下世代記憶體全面性的開發方案。