本技術解決無法有效在同一晶片上選擇性沉積不同材料感測材料的問題，與在個別奈米電子元件表面沉積不同材料所需的複雜製程步驟，避免造成已沉積的感測材料的汙染與剝離。本技術可將不同材料選擇性沈積在個別奈米元件表面也是奈米元件感測最靈敏的區域。於氣體感測應用時，個別奈米元件可分別進行焦耳熱自熱，將每一個元件的

"1. 本技術提出一全新且符合半導體製程的方法，可以在同一晶片的個別奈米電子元件上，選擇性沉積不同感測材料，材料沉積位置也是元件對表面電位變化最靈敏的區域。
2. 本技術因個別奈米元件可在焦耳熱自熱下工作，所需的功率消耗將降至1 nW/device，遠比傳統氣體感測元件的功率消耗( 25 m

"1.本技術適合廣泛的應用在環境、工業、生醫氣體檢測領域。
2.氣體感測器的市場到西元2023可達USD 1,297.6 Millions。"