-
-
電子與光電 未來科技館 毫米波大型垂直貼片式相控天線陣列與寬頻RFIC
首創(a)超薄型毫米波雙極化寬頻天線，較過去成果具厚度優勢(b)3D雙曲面空腔結構增加垂直貼片天線頻寬，較過去具頻寬優勢(c)毫米波多功能RFIC整合技術，大幅降低封測廠毫米波RFIC自動測試方案成本及(d)低變異量頻率可重置之寬頻切換式相移器，大幅切換頻帶時仍維持低振幅與相位變異量。
-
-
-
電子與光電 未來科技館 羽量積體化車載慣性導航系統
將孕育十週年的積光陀螺儀技術，應用於車體慣性定向，於隧道內無GNSS訊號下之實測誤差量，與國際市售一萬美元之模組達到類似精確度，實測移動7.8公里，誤差89公尺與73公尺，整體誤差比例因子分別為MEMS (55)、GNSS(4.5)、本團隊模組(1.1)國際市售慣性級FOG(0.9)。
-
-
-
電子與光電 未來科技館 突破物聯網的最後一哩：無晶片射頻辨識
本研究目的為國內、外首度實現無晶片射頻辨識於特定應用，以無晶片標籤紀錄圖書館書籍的入藏號碼；不僅系統建置成本遠比傳統射頻辨識低，人力與時間成本也可縮減，管理效率大幅增加。本技術也拓展至物聯網，為感測器路、定位、票卷防偽、醫療衛生、食品安全等應用提供前瞻技術。
-
-
-
電子與光電 未來科技館 黃光微影覆蓋量測之抽樣與預測及增量學習模型之應用
透過「微影覆蓋誤差量測的抽樣與預測」技術，降低誤差量測的成本與時間，以提高製程效率。經由分群技術與機增量學習模型演算法找出關鍵量測點，建立黃光覆蓋誤差量測點的減點演算法，並可因應產品客製化要求、晶圓種類繁複與樣本資料量測量少的問題，動態增量學習不同資料特徵，以達優化減點與降低成本之目標。
-
-
-
電子與光電 未來科技館 一種具有超高性能之超晶格自旋轉移力矩磁阻式記憶體SS-MRAM
本發明超晶格磁阻式記憶體SS-MRAM，主要使用人造超晶格材料做為勢壘層。SS-MRAM集聚SRAM、 DRAM與Flash之優點，包含高速讀寫、低讀寫耗能、高耐久性、元件尺寸小、非揮發性、無漏電、及零待機耗能等。並且具有與目前製程相容、製造容易、及高可靠性等特性。為一具有超高性能之下世代記憶體。
-
-
-
電子與光電 未來科技館 4G/5G邊緣運算平台之通透式佈建技術
本團隊開發之通透式邊緣運算平台佈建技術，整合五個重要元件，包含位置解析代理模組、封包閘道器、GTP通道控制模組、GTP數據流工程模組和管理模組，使得4G/5G邊緣運算平台相容於標準，只需將基地台和核心網連接至該平台，不需對它們作修改或設定，即可提供邊緣運算服務，且利用虛擬化技術動態支援多項應用服務。
-
-
-
電子與光電 未來科技館 整合製圖導航與雷射掃描顯微光譜影像技術提升樣品光電檢測的自動化
「台大凝態中心光電工坊」成功研發光學顯微鏡的樣品地圖與導航技術。此光機電整合系統可自動化擷取高解析光學影像及產製數位化樣品地圖，並直接於數位地圖中搜尋與定位樣品熱區位置，再移動載台將熱區置於視野中心。此技術可與共軛焦雷射掃描顯微光譜技術整合串聯，進而擷取樣品熱區雷射光譜影像，大幅提升光譜量測的效能。
-
-
-
電子與光電 未來科技館 衛星遙測大氣氣膠廓線在三維PM2.5之建構與區域空氣污染之監測
基於十年長期地面實測資料，藉由單峰型態的氣膠消光廓線對數常態分布之特性，同時考量季節性行星邊界層與近地表均勻混合高度之變化，以氣膠光學厚度和行星邊界層高度建構合理的氣膠垂直分布，驗證之相關係數達0.9，且前瞻地應用於衛星在區域性三維氣膠空間分度之建構，克服現階段國際上之限制。
-
-
-
電子與光電 未來科技館 5G/B5G毫米波陣列天線快速校正與波束定位
陣列天線為毫米波系統標配，其短波長、材料高損耗、製程難度高，眾誤差造成天線系統高度失能，由研發到產品場域層層疊疊多重校正，產生高成本、低良率、低生產速度。本技術以電子式取代機械式，善用陣列天線高操控性來取得輻射特性，簡化校正系統架構、縮短時間至秒級，克服系統產業化研發、產線、場域實現技術與成本瓶頸。
-
-
-
-
電子與光電 未來科技館 低溫半導體缺陷消除技術
本團隊自主開發一種新的半導體製程技術與設備，能在低溫下（<250攝氏度）消除半導體元件中的材料缺陷，進而使半導體元件的特性提升、可靠度改善，該技術已多種半導體元件如LED、GaN 功率元件、SiC MOSFET上進行測試，都有明顯的特性提升效果。
-
-
-
電子與光電 未來科技館 超世代1.6Tb/s矽光子光發射傳輸晶片
本「超世代1.6Tb/s矽光子光發射傳輸晶片」利用矽光子製程技術整合多個光端面耦合器、光分路器、光調制器、及獨創的4x16 AWG光分波多工器等約50個光元件於一顆5mm x 5mm的晶片上，經量測驗證具備傳輸數度達1.6Tb/s得可行性，為目前國內外單位晶片面積上總傳輸速度最高的矽光子晶片。
-
-
-
電子與光電 未來科技館 全球電離層海嘯監測與預警系統-太空浮標
利用既有全球導航衛星系統GNSS地面接收機所量測之全電子含量，建置太空浮標觀測網，即時監測海嘯引起之電離層擾亂。藉此，確認海嘯生成位置與傳播，以為即時海嘯預警系統。
-
-
-
電子與光電 未來科技館 大面積及高色純度紫光及綠光鈣鈦礦發光二極體
有別以往單一溶液或蒸鍍法，我們結合熱蒸鍍和旋轉塗佈法各自優點，製作出大面積9平方公分鈣鈦礦LED元件，其啟動電壓約為1.5 V、電激發波長在405 nm及538 nm、頻譜半高寬為22.8 nm、色純度為95，除此之外，元件壽命可達一小時以上，這顯示結合熱蒸鍍和旋轉塗佈法在大面積元件有優勢。
-
-
-
-
電子與光電 未來科技展 射頻功率源 - 固態功率疊加的無限可能
大功率發射台漸由許多較小功率的基地台取代，半導體產業的固態技術在射頻/微波的功率也日益提升，因此，以較小功率的固態功率源合理疊加產生巨大的微波/射頻功率逐漸成為未來的趨勢。為迎接科技潮流，國輻中心自主研發將多個千瓦級的功率源合併為一個可產生數十千瓦的射頻功率，以取代原本需要高壓電力和日益昂貴的真空速
-
-
-
電子與光電 未來科技展 魔磁學院光子源 - 磁之領域的專業顧問
國輻中心為國際間頂尖磁鐵相關設計的團隊之一，從磁場模擬設計、機構製造與磁場量測都能精確掌握，相關技術包括電磁鐵技術、永久磁鐵技術、真空技術、低溫技術與超導技術。
-
-
-
電子與光電 未來科技展 NEG非蒸發式吸氣材料 - 挑戰超高真空
國輻中心以磁控漸鍍的方式製備非蒸發式吸氣薄膜(NEG film)，漸鍍薄膜的真空腔中經由活化後，可以在不需要幫浦的情況下保持超高真空(-10 Torr level)，其活化溫度依照不同製程條件可控制低於200 ℃。經活化後的吸氣劑薄膜吸附殘餘的氣體，可以達到所需的真空度。
-
-
-
電子與光電 未來科技展 現場鏡面量測儀 - 奈米微測 即時校正
臨場大型X光鏡面量測技術中的長程鏡面量測儀(LTP)在全世界的許多同步加速器研究中心使用，可以用於測量X光鏡的面形和中頻粗糙度。測量過程精確、高速、非接觸，測量曲率半徑範圍可以從5 m至∞，能夠測量範圍內的表面輪廓面貌，縱向解析度為0.15 nm，未來可用於測量鏡面製作和安裝成果。
-
-
-
電子與光電 未來科技展 前瞻小型可回收無人太空飛行整合驗證平台任務型動力立方衛星
衛星推進系統除了開發單基推進器外，最後整合完成一可在地面展示之原型推進控制系統。整個系統設計依據重量為16 公斤的8U立方衛星為藍圖，使用四個推力各為600 mN的單基推進器進行初步系統動態控制驗證。由地面實驗結果顯示，推進姿態控制系統的性能均具有良好的表現，符合計畫設定目標。
-
-
-
電子與光電 未來科技展 染料敏化太陽能電池的印刷式製程及其在物聯網的應用
本技術利用染料化太能電池(DSSC)作為物聯網(internet of thing)系統中相關元件所需電能的自供應電池。DSSC具有低的製作成本，且在室內環境下光電轉換效率高，再配合物聯網中極低的能量需求，可開發高效能、無需外部電源供應的物聯網系統
-
-
-
電子與光電 未來科技展 桌上型超快極紫外雷射
"清華大學光電工程研究所副教授陳明彰等人組成研究團隊與美、中、 西等國際團隊合作，近期突破學界多年來的瓶頸，成功創造出體積小卻更亮、更短脈衝的極紫外光(EUV)，且能任意調變偏振，能看見奈米級的微影世界，將加速半導體及生醫領域的奈米等級研究，其中高亮度的13.5nm的光源，正是下一世代半導體產業重要
-
-
-
電子與光電 未來科技展 應用晶粒控制技術之積層型3D-IC
結晶矽晶粒邊界控制技術係先在絕緣層上蝕刻出規則孔洞，成長一定厚度非晶矽薄膜後，以奈秒雷射加熱熔融非晶矽形成結晶矽薄膜，由於製程中孔洞相對溫度較低，矽薄膜先從孔洞底側向結晶；最後結晶矽薄膜晶粒可控制在預先設計的規則孔洞圖案之間，製作元件於矽晶粒中可提高晶片效能及良率，以利商品化及量產積層型3D晶片。
-
-
-
電子與光電 未來科技展 超導量子位元模擬晶片
超導量子位元為目前國際大廠發展的量子電腦的基礎，本項技術為本土研發以超導量子位元為基礎的模擬晶片，具有1-4個量子位元。超導量子位元模擬晶片本身在技術上並不是創新突破，但是在設計上可有創新突破，本晶片即是利用超導量子位元作為微波放大、模擬人造原子以及人造原子間或與真空之交互作用。
-
-
-
AI與IOT應用 未來科技展 可監控無人載具行為之無鉛壓電加速度感測系統
本團隊自行研發無鉛壓電材料，並結合MEMS製程技術，成功開發無鉛壓電MEMS加速規，該元件藉由震動使壓電薄膜產生形變，進而產生電荷，再由電荷輸出量推算加速度。後端電路SAR ADC之輸入訊號為電壓，因此必須將電荷轉換成電壓訊號，再送進逐漸趨近式的類比至數位轉換器轉換成數位碼。
-
-
-
精準健康生態系 未來科技展 無耗材、遠距、光學快檢植物疾病-蘭醫生 ＆ 食品產業自主管理快檢機
本技術利用光學激發植株的螢光，以特徵光判別主要成份感染病毒的差異性，與傳統生化技術最後以光學儀器檢測『粹取的植株有害成份』的螢光感測在原理上是類似。但本技術主要差別是省略繁雜、耗材的生化程序(擣碎、粹取、離心取上清液)。利用大數據的建立，透過人工智慧演算法辨別出植體是否染病，乃至何種病毒。
-
-
-
AI與IOT應用 未來科技展 下世代尖端MRAM技術-邁向低耗能、高頻、與零場操作之自旋軌道矩
針對三種MRAM [1]自旋轉移矩(spin-transfer torque, STT)型、[2]自旋軌道矩型(spin-orbit torque, SOT)以及 [3]電場控制型(voltage control magnetic anisotropy,VCMA)進行研究並與產業結合。
-
-
-
電子與光電 未來科技展 具動態密鑰之高安全性晶片測試技術
本技術提出一種高安全性之晶片測試架構防護技術，可以在測試時以動態方式產生密鑰，在不降低系統性能和可測試特性的情況下，本技術可有效抵禦針對掃描鏈和記憶體的攻擊。且由於本技術之動態特性，其安全等級遠高於所有現有技術，且無論攻擊者嘗試多少次密鑰猜測，本技術之安全等級亦不會降低。
-
-
-
電子與光電 未來科技展 小型化氮化鎵高效率轉換器及變壓器:晶片、元件到應用系統
採用寬能隙元件(GaN HEMT)建構的高功率轉換器應用。技術面由6-吋晶片開始研發到系統端應用，涵蓋6-吋矽基GaN磊晶層之優化，如磊晶緩衝層厚度和通道層。到元件製程開發跟模型建立，也利用TSMC E-mode GaN HEMT和NDL E/D-mode實現積體電路設計之低側GaN HEMT邏輯閘
-
-
