本技術使用氮化鎵及碳化矽半導體開發出可應用於太空電子之高抗輻射半導體技術。相較於矽材料，氮化鎵及碳化矽有大於10倍的崩潰電場、大於3倍的寬能隙及大於10倍的位移能特性，在高效率功率轉換及B5G/6G通訊上有極大的潛能並具有極佳的抗輻射能力，可廣泛應用於太空電子來輕量化電子系統及提高系統穩定性。

1) 成功開發抗輻射高電壓(1kV)氮化鎵元件。2) 全世界首度使用輻射後的氮化鎵元件成功開發無線電力傳輸系統且無特性衰減。3) 成功開發高電壓(3kV)碳化矽功率MOSFET可抗700 kGy珈瑪輻射，導通電流和崩潰電壓減損不到15。同規格的IGBT僅能承受不到1kGy的輻射就有特性的衰退。

本技術開發之GaN/SiC元件，可廣泛應用於抗輻射電子應用如在太空、航空、軍事、醫療以及核能的設備上，也符合綠能電子的全球趨勢，可應用B5G/6G通訊設備、智慧型行動裝置之快速充電器、混合動力與電動汽車、電源和太陽能光電等。

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