國輻中心以磁控漸鍍的方式製備非蒸發式吸氣薄膜(NEG film)，漸鍍薄膜的真空腔中經由活化後，可以在不需要幫浦的情況下保持超高真空(-10 Torr level)，其活化溫度依照不同製程條件可控制低於200 ℃。經活化後的吸氣劑薄膜吸附殘餘的氣體，可以達到所需的真空度。

隨著吸氣劑材料應用領域的擴大和變化，非蒸發式吸氣薄膜材料與配方不斷推陳出新，薄膜微結構得到優化、沉積精度提高、其活化溫度得以降低，吸氣性能及功能設計更加強大與靈活，滿足了大型超高真空系統設備的真空要求。國輻中心研究團隊成功製備1米長、管徑27微米的真空腔，經由活化後在無幫浦的情況下達到超高真空環境。

由於非蒸發式吸氣薄膜不受限腔體尺寸與幾何大小的影響，因此在加速器領域常用在狹窄的真空腔體中，以取代真空幫浦的抽氣功能。而在微機電子機械系統(MEMS)中，由於近年技術使傳統的封裝方式更加微小，因此使用非蒸發式吸氣薄膜具有空間佔有率小與吸氣量大等優勢，其MEMS可靠性、穩定性與壽命將可顯著提高。