本團隊開發出局部氧化隔離、埋層接面隔離、雙閘極氧化層、P型複晶矽閘極等新穎技術，實現邏輯電路、驅動電路、垂直高功率電晶體的單晶片整合，基板電壓從0 V到600 V，從室溫到攝氏200度，都可以正常操作。獨特的製程技術和電路整合的完整程度，均優於國際先例，是智慧功率模組的重要突破。

本團隊開發出全球首創的局部氧化隔離、埋層接面隔離、雙閘極氧化層、P型複晶矽閘極等新穎製程技術，搭配其它製程的優化，達成碳化矽互補式金氧半場效應電晶體積體電路與高功率電晶體之單晶片整合技術。

寬能隙半導體元件，特別是碳化矽製作之元件，可以應用於高電壓、大電流、高溫度、強輻射的環境，例如能源網路、軌道運輸、新能源汽車、航太產業等。本技術的目的在提升碳化矽元件與功率模組的效能，因此凡是上述碳化矽功率元件的應用，均可能透過本技術獲得改善。