"一、高功率氮化鎵元件
新設計常關型閘極氧化層堆疊與氧化鋯鉿氧化層結合，高電流（770mA/mm）與高耐壓（830V）。
二、高頻氮化鎵元件
新專利步進機二次曝光技術，達到超小線寬，操作頻率達200GHz。
三、高效率無線快充與模組
本實驗群利用頻率共振原理、E類放大器以及高頻整流實現一對多遠距快充

"1. 採電子注入鐵電氧化層，使常關式元件具高閾值電壓及高輸出電流，技術指標世界第一。
2. 張教授團隊製作的GaN元件在Ka頻帶功率輸出達到10W/mm，在V頻帶(75GHz)下仍有2W/mm。世界領先水平。
3. 交大團隊搭配高效率、高功率諧振式無線充電模組，傳輸超過50公分，效率高達95以上

"可廣泛應用於各式電子產品的電源供應器、手機與電動車之充電器及直流-交流轉換器，具高電壓、高電流及節能之特性。
可用於5G以上高頻通訊與軍用設施，高頻仍具高功率密度效率的特性，可用於未來寬頻無線通訊。
實現高效率遠距充電之高功率元件， 可用於各式工業與消費型產品，如機器人、車用電子、智能家電產品。"

天使投資人、策略合作夥伴