本技術使用原子層沉積(ALD)沉積完閘極氧化層後利用氨氣與氮氣電漿處理法(Post Remote Plasma Treatment)，有效改善氧化層的品質與砷化銦鎵接面，且擁有很好的DC特性以及優異之高頻響應，有望滿足未來特高頻應用之要求。

利用氨氣與氮氣電漿處理法，可有效改善氧化層的品質與砷化銦鎵材料接面，使得鰭式電晶體開啟電流達到120μA/Fin和開啟電流= 3.25 mA /μm（Vds = 1 V）；轉導峰值為3.8 mS /μm，Q值为40.4，而截止频率（ft）和最大震盪频率(fmax)分別為475 和 1016 GHz。

本技術使得砷化銦鎵FinFET有更佳之頻率響應，甚至可達Terahertz（THz）波段，不僅可應用於下一代網路及通訊系統，更可於未來衛星通信/航空/國防的應用( 100-340 GHz)。並可與矽 CMOS技術作整合，實現特高頻(THZ)圖像成像，有助於發展國防、感測器以及醫學分析系統。