本團隊所提出的新穎低溫複晶矽氧化物薄膜電晶體組成的高電壓增益反相器與畫素開關/驅動元件，可大幅提升近眼顯示裝置解析度，同時結合導電橋式記憶體內嵌畫素電路，更能有效降低顯示電路的功耗。本技術可應用於超高解析VR/AR近眼穿戴顯示裝置，並滿足窄邊框、超高解析度以及智慧節能等技術需求。

本團隊突破商用N型氧化物薄膜電晶體元件效能瓶頸，首創導電橋式記憶體內嵌於單一像素技術，成功發展新式低溫複晶矽氧化物垂直堆疊開關與驅動畫素陣列架構，展示低操作偏壓、低訊號延遲，以及低靜態功耗之高電壓增益反相器電路，以應用於下世代超高解析度穿戴式近眼VR/AR顯示裝置技術。

本技術開發出高效能、低功耗之垂直堆疊LTPO畫素開關與驅動架構，並搭載低傳輸延遲與具備記憶功能的銅導電橋式記憶體內嵌於顯示畫素內，可降低畫面更新率，大幅度減少操作功耗，展現節能顯示的優越特性。此外，成功展示高電壓增益反相器電路，其優越特性極具產業應用潛力於下世代節能VR/AR顯示電子驅動系統技術。

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