本計畫開發銅導電橋式非揮發記憶體元件內嵌於顯示畫素陣列技術，大幅降低顯示畫面呈現時的功耗，並提升畫素開口率、減少周邊驅動電路布局面積，採用高導電率金屬銅連線傳遞影像訊號，減少時間延遲，可為高解析度VR/AR裝置帶來節能與高速訊號傳輸的顯示功效，同時提升VR/AR裝置之顯示畫面品質與體驗價值感受。

相較於傳統以6顆TFT元件所組成的SRAM畫素內嵌記憶電路，本技術提出單一非揮發性銅導電橋式記憶體內嵌於顯示畫素陣列，以提供靜態畫面影像資訊，有效降低畫面更新頻率與顯示周邊系統能耗。此外，應用高導電銅導體連線技術，可達成低訊號延遲與高信賴度顯示技術之整合，提升VR/AR穿戴裝置之顯示畫面品質。

隨著2024年8000億美元市場規模的元宇宙產業來臨，開發內嵌非揮發性記憶功能的畫素陣列並搭載高速傳輸的銅導體連線技術，可有效降低顯示畫素操作功耗與提升訊號傳輸速率。對於發展智慧節能且兼具高速影像傳輸之高解析度VR/AR顯示技術需求，本技術將是不可或缺，可加速達成顯示產業的永續發展目標(SDGs)。