薄膜電阻主要要求為高電阻率, 低電阻溫度係數(TCR，±50 ppm)及電阻值精確度(±0.1 %)；為符合此規格，薄膜組成為設計重點，本技術以Ni-Cr-Mn-Y-Ln製備薄膜合金電阻，也已獲得台灣發明專利(I525196, I612538, I641001 )及美國專利(US 10,121,575 B2)。

薄膜電阻合金(五元高熵合金)介紹:一種薄膜電阻高熵合金(五元)包含：以原子百分比計為38～60%的鎳、10～25%的鉻、3～10%的錳、4～18%的釔及1～36%的鑭系元素。本技術薄膜電阻合金得以在低溫度電阻係數下，大幅提高其電阻率，以達到增加該薄膜電阻合金的應用性之功效。

全球每年薄膜電阻的使用量較厚膜電阻少，但因產品價格也是倍數之差(毛利可高2~3倍)，故若以總產值計算，薄膜市場不可輕忽。
外商為主要供應者：台灣廠商在厚膜製程的晶片電阻領域中，全球市佔率已位居榜首，相較下，薄膜製程的電阻產品仍是少數，日商及歐美(Vishay、Rohm、SUSUMU) 為主要供應者。