本技術為採用電化學蝕刻技術產生均勻、高密度之單一晶向矽奈米晶製程。矽晶圓浸沒入氫氟酸為為基礎的電解液 (HF:C2H5OH=1:1) 中施予偏壓，藉由調整溫度參數控制多孔矽的結構。蝕刻槽周邊能儲備-78°C 乾冰與酒精混成冷卻媒體中，具備降溫至 -20 °C能力，保持恆溫進行電化學蝕刻，形成 4-5 nm 的奈米晶。

在同一電化學條件之下，操作溫度在常溫所製作之*p++*型多孔矽在紫外光照射下呈現之光致發光效應（十分微弱，肉眼無法觀測到）與在深冷條件之下所得之光致發光效應（呈現紅光）迴然不同。經過量測，常溫之下所得之奈米晶尺寸約為 15 nm，而在深冷之下所得奈米晶尺寸為5nm 縮小率更是達到300%。

本技術能有效產生矽奈米晶，在溶液中製作奈米矽晶塗料，應用在不同產品及科技領域，例如：快閃記憶體、光電應用、光伏應用、微光子防偽裝置等等。且除了在矽光子應用之外，在生物光子應用產業亦有巨大的應用潛力，例如可作螢光物質以尋找標出癌症細胞。