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- 年度
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- 2017
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- 國家同步輻射研究中心
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- 邁向極限的半導體技術－加速器光源尖端半導體技術應用
| 技術名稱 | 邁向極限的半導體技術－加速器光源尖端半導體技術應用 | ||
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| 計畫單位 | 財團法人國家同步輻射研究中心 | ||
| 計畫主持人 | - | ||
| 技術簡介 | 現有的電漿EUV光源功率有限，加上污染嚴重，是邁向3奈米的主要障礙。加速器光源因為完全潔淨 ，光源功率透過自由電子雷射機制可大幅提升功率超過千瓦，符合高量產需求，是世界最大的半導體設備商積極尋求的替代光源。 |
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| 科學突破性 | "1.半導體將邁向3奈米極限，而關鍵瓶頸在於現有的電漿EUV光源功率有限且污染嚴重。目前世界最大的半導體設備商正積極尋求同步加速器光源成為新替代光源，它的特性為完全潔淨且可大幅提升功率超過千瓦。 2.加速器光源具超高亮度、波長可調、光源解析度高之特性，透過超低掠角X光繞射等技術，可精準分析超薄奈米晶 |
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| 產業應用性 | 半導體業 |
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| 關鍵字 | |||
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