| 技術名稱 | 垂直電晶體的結構 | ||
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| 計畫單位 | 國立臺灣大學 | ||
| 計畫主持人 | - | ||
| 技術簡介 | 利用垂直式電晶體之架構並與現有之鰭狀電晶體製程整合，在不大幅改變製程的情況下，實現垂直電晶體的結構。該結構可達通道長度小於10奈米，且具有2400 A/m 之電流。 |
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| 科學突破性 | 此一垂直電晶體結構可與現有之鰭狀電晶體製程整合，並可利用通道材料沉積厚度定義通道長度，由於非以曝光方式來定義通道長度，所以不受光學限制，通道長度可達10奈米以下。 |
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| 產業應用性 | 在半導體製程持續微縮的情況下，因為曝光技術的限制，必須改用垂直通道式電晶體。其通道長度不再由曝光所決定，而是利用通道材料成長厚度決定，且其可在相同面積下可取得較大之操作電流。 |
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| 關鍵字 | |||
- 聯絡人
- 黃慧嫺
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- futuretech.most@gmail.com
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