"本團隊獨創新興半導體製程技術－超臨界流體處理技術。
藉由超臨界流體處理技術可大幅提升電子元件的性能，如鰭式場效電晶體、深紫外光發光二極體、高頻/高功率電晶體、太陽能電池、電阻式記憶體、氣體感測器、二維材料電子元件等。在學術研究上深具前瞻性與創新性；在工業應用上，亦可能將顛覆世界半導體工業技術發展，

"現今電子元件的效率無法達到理論值，大部分都跟電子元件內的缺陷有關，這些缺陷來源可能是材料本身的缺陷、材料之間的介面缺陷或製造過程產生的缺陷。
半導體製程中多仰賴高溫或電漿進行處理，會有熱預算與電漿損傷的副作用。
超臨界流體處理技術，是本團隊獨創的低溫缺陷鈍化技術。本技術透過超臨界流體高穿透度與高溶

"超臨界流體處理技術可以在接近室溫的狀態下，選擇性消除電子元件與材料的缺陷。
優點: 以現今半導體製程技術而言屬於低溫的處理技術、非破壞性、可批次式大量處理及具高度選擇性，且可同時匹配半導體的前段製程(Front end of line, FEOL)及後段製程技術(Back end of line,