"	電流導通為垂直方向的氧化層穿隧電流，藉由邊際電場效應(fringing field effect)使主導電流沿周邊流通，利用substrate少數載子數量之控制，引發源極流往汲極等效的多數載子Schottky Barrier Height 之調變，進而得到有效之電流變化。
	鄰近MOS場效應

"＊電流導通為垂直方向的氧化層穿隧電流，藉由邊際電場效應(fringing field effect)使主導電流沿周邊流通，利用substrate少數載子數量之控制，引發源極流往汲極等效的多數載子Schottky Barrier Height 之調變，進而得到有效之電流變化。
＊鄰近MOS場效應控制

傳統MOSFET電流大小是由閘極控制通道內之載子，通道長度Lg受限於technology node。對於低功耗積體電路，其核心元件電晶體需能操作於小偏壓，但能有效驅動開關，SS值小具有關鍵指標。本專利提出新的元件結構應用，SS值可小於60 mV/dec，對於未來低功耗積體電路整合極具應用潛力。本專利