本技術提出以六吋的複合式p-AlGaN gate HEMT結構，來解決傳統p-GaN gate HEMT電流密度過低並且pGaN蝕刻的均勻性不好的問題，並藉由微波退火以低溫的方式抑制因RTA高溫退火產生二次鎂離子擴散 (Mg out-diffusion) 之問題，進一步提升元件性能。

新型pGaN 氮化鎵功率元件所需技術做準備，仍有下列幾個技術必須突破:
1.新型pAlGaN氮化鎵複合式結構的開發用於準確的蝕刻停止的技術，必須考慮生長溫度以及Mg 外擴散的問題，此結構不易於成長具有挑戰性，2.在元件製作中，必須要有精確且低破壞性的蝕刻技術

下一代能源系統必須可以擠入更小的空間，並且比現有的能源系統更有效率，關鍵其原因是在緊湊型封裝模組中，使用氮化鎵（GaN）功率模塊，而不是用矽的傳統功率半導體。GaN 半導體器件的開關頻率比傳統的矽模塊快上三倍，較高的頻率操作，使得新型電子設備可以使用比傳統能源系統元件更小的磁性元件和散熱片。

半導體射月計畫