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未來科技館
用於光達系統擁有高單光子偵測效率和高飽和電流特性的雙層累增層設計累增崩潰光二極體
我們展示了一種 In0.52Al0.48As 的累增崩潰光二極體,透過雙層累增層的設計配合蝕刻平台型結構,讓我們得以擁有極高的單光子偵測效率與極短的時基誤差,同時擁有極高的飽和電流與極高的光輸出功率等特性。我們的累增崩潰光二極體元件展示出優秀的性能,可同時應用於時域飛行與調頻連續波光學雷達中。
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