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電子與光電 未來科技館 低溫半導體缺陷消除技術
本團隊自主開發一種新的半導體製程技術與設備，能在低溫下（<250攝氏度）消除半導體元件中的材料缺陷，進而使半導體元件的特性提升、可靠度改善，該技術已多種半導體元件如LED、GaN 功率元件、SiC MOSFET上進行測試，都有明顯的特性提升效果。
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未來科技館 廢棄物回收碳轉化高價值石墨(烯)奈米粉體技術
本發明”綠色環保石墨(烯)奈米粉體熔鹽電化學製備技術”製程是由FFC劍橋鈦金屬冶煉法改良而得，可行性高且具商業應用與工業化潛力，且與相比傳統合成石墨化製程，可在相對低溫(850°C)且時間更短(6~12小時)的時間內將無定型碳黑轉化為高應用價值之石墨。
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未來科技館 搭載畫素內嵌記憶體之低溫複晶矽氧化物薄膜電晶體陣列技術於超高解析度節能近眼穿戴顯示裝置應用
本團隊所提出的新穎低溫複晶矽氧化物薄膜電晶體組成的高電壓增益反相器與畫素開關/驅動元件，可大幅提升近眼顯示裝置解析度，同時結合導電橋式記憶體內嵌畫素電路，更能有效降低顯示電路的功耗。本技術可應用於超高解析VR/AR近眼穿戴顯示裝置，並滿足窄邊框、超高解析度以及智慧節能等技術需求。
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未來科技館 電漿噴塗金屬支撐型固態氧化物燃料電池片
核研所克服大氣電漿噴塗技術之瓶頸，利用該技術之多變性，成功製備具有緻密電解質層與奈米孔洞結構之電極於金屬支撐型固態氧化物燃料電池片中，該電池片顯露之性能兼具高發電效率、高穩定性、耐氧化還原以及耐熱衝擊與機械震動，除固定型裝置外，可被裝載於汽車、船舶等有電力需求之場合。
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電子與光電 未來科技展 應用晶粒控制技術之積層型3D-IC
結晶矽晶粒邊界控制技術係先在絕緣層上蝕刻出規則孔洞，成長一定厚度非晶矽薄膜後，以奈秒雷射加熱熔融非晶矽形成結晶矽薄膜，由於製程中孔洞相對溫度較低，矽薄膜先從孔洞底側向結晶；最後結晶矽薄膜晶粒可控制在預先設計的規則孔洞圖案之間，製作元件於矽晶粒中可提高晶片效能及良率，以利商品化及量產積層型3D晶片。
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未來科技館 低溫常壓銅接合技術之開發
為因應日趨多元的功率元件工作環境，功率元件構裝材料需承受高溫、高壓與高電流密度的使用情境。本技術開發出兩種低溫接合材料，分別為奈米銅膠與銅錫膠。製備過程與膠體使用無毒化學藥品。兩種材料能在低溫、無外加壓力與還原氣氛輔助下接合銅基板，接合後形成高熔點、高熱穩定性及機械性質優異的接點。
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先進材料&綠能 未來科技展 先進原子層材料與模組技術
隨著摩爾定律的快速發展，現今半導體技術已演進至小於10 nm的技術節點，材料與元件的關鍵尺寸將進入原子等級精準度的要求。因此本計畫開發各式原子層技術，包含原子層沉積、原子層退火、原子層磊晶、以及原子層蝕刻等等，以實現具有小於1nm精準度之材料沉積、退火、成長、以及蝕刻等先進半導體製程技術。
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未來科技館 奈米雙晶銅應用於低溫/快速銅-銅接合與高韌性銅導線
電鍍111奈米雙晶銅，能提升銅接點的電與機械性質，成為下一世代的銅接點的重要材料。能夠應用在三種領域 1. 低熱預算/低電阻銅對銅直接接合 我們能在300℃時大約5秒的時間後立即完成接合，同時達到低的接觸電阻。五秒能完成銅-銅接合，目前是文獻最快的世界紀錄 2. 高韌性銅導線 3. 鋰電池銅箔
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