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未來科技館 應用於太空電子之高抗輻射半導體技術
本技術使用氮化鎵及碳化矽半導體開發出可應用於太空電子之高抗輻射半導體技術。相較於矽材料，氮化鎵及碳化矽有大於10倍的崩潰電場、大於3倍的寬能隙及大於10倍的位移能特性，在高效率功率轉換及B5G/6G通訊上有極大的潛能並具有極佳的抗輻射能力，可廣泛應用於太空電子來輕量化電子系統及提高系統穩定性。
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未來科技館 智能精準放射治療系統研發
本技術用深度學習技術為六種器官建立了各自的自動器官分割模型和一個供醫生使用的圖形化介面，以標準格式和醫院現有之放射治療系統進行資料交換，形成一個放射治療規劃前所需的自動器官分割系統。並運用我們使用自主研發的 3 維 (3D) 列印機製作了定制的組織填充物，並運用前面訓練的資料更精準投放藥劑劑量。
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未來科技館 大數據AI輔助分析高分子多尺度微結構技術平台 — 解構製程、微結構與材料性質的關聯密碼
透過與先進同步輻射光束線實驗站搭配的原位成型加工設備及彈性且多樣化的量測系統，構建材料製程、微結構與其產品性能間可參數化的 AI 大數據庫，開啟嶄新的材料開發新世界。
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未來科技館 立方衛星上的CMOS黑白影像感測晶片
本計畫為第三期遙測衛星CMOS影像感測器(CIS)開發整合計畫，主要演進為對地解析能力提升為0.5米；設計上導入CMOS時間延遲積分(TDI)新架構，背照式CIS 0.13 μm製程，並加強晶片抗輻射能力；本計畫並自主開發晶片量測平台與數據分析技術，建立自我驗證能力，以加速技術研究發展進程。
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未來科技館 整合新世代多維度空間資訊於都會區太陽能光電潛力分析
本技術為一結合高細緻建物模型及標準氣象年太陽輻射等多維度空間資料進行之屋頂型太陽能光電潛力推估技術。以都會區域為例，將實際建物分布、形構的建成環境做為基底，透過日射量與角度計量各屋頂面各時段所受太陽輻射及陰影遮蔽量，精確計算各屋頂鋪設太陽能板之發電潛力，為未來太陽光電開發評估建立科學化之技術方案。
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