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電子與光電 未來科技館 一種具有超高性能之超晶格自旋轉移力矩磁阻式記憶體SS-MRAM
本發明超晶格磁阻式記憶體SS-MRAM，主要使用人造超晶格材料做為勢壘層。SS-MRAM集聚SRAM、 DRAM與Flash之優點，包含高速讀寫、低讀寫耗能、高耐久性、元件尺寸小、非揮發性、無漏電、及零待機耗能等。並且具有與目前製程相容、製造容易、及高可靠性等特性。為一具有超高性能之下世代記憶體。
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AI與IOT應用 未來科技展 下世代尖端MRAM技術-邁向低耗能、高頻、與零場操作之自旋軌道矩
針對三種MRAM [1]自旋轉移矩(spin-transfer torque, STT)型、[2]自旋軌道矩型(spin-orbit torque, SOT)以及 [3]電場控制型(voltage control magnetic anisotropy,VCMA)進行研究並與產業結合。
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