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未來科技館 成長於低阻SiC基板上之常關型p-GaN HEMT利用AlGaN cap層實現高閘極可靠度表現
本團隊在低阻值且零度角度的SiC基板上成長p-GaN HEMT，並且利用寬能隙材料AlGaN做為蓋帽層，藉此可以有效抑制電洞注入，達到提升閘極可靠度的目的。另外，本團隊選用零度角以及低阻值的SiC基板，除了可以大幅減少異質接面造成的晶格錯位缺陷之外，同時也大幅降低了整體成本。
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未來科技館 新型高頻、高功率氮化鎵電晶體技術
"一、高功率氮化鎵元件 新設計常關型閘極氧化層堆疊與氧化鋯鉿氧化層結合，高電流（770mA/mm）與高耐壓（830V）。 二、高頻氮化鎵元件 新專利步進機二次曝光技術，達到超小線寬，操作頻率達200GHz。 三、高效率無線快充與模組 本實驗群利用頻率共振原理、E類放大器以及高頻整流實現一對多遠距快充
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