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未來科技館 高質化石墨烯晶圓於下世代半導體之磊晶應用
本技術可大面積合成高品質石墨烯，以高密度繞捲方式，搭配特殊設計之柔性擴散層，克服成產率限制，並發展超潔淨轉印技術，獲得高質化之石墨烯晶圓，並達工業化與市場化之需求。同時發展六吋石墨烯矽晶圓，延伸於磊晶基板，可解決藍寶石基板散熱不佳、Si基板晶格不匹配與SiC、GaN基板價格昂貴的瓶頸。
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未來科技館 應用第三代半導體之高功率密度先進電源
研究主題有先進電源、儲能技術、機電整合、電動車輛、電力控制等。基礎於現有研發基礎，聚焦於能源轉換效率、高電壓充電 (快充)、裝置小型化與輕量化、智慧電源管理方案等，搭配材料輕量化、以開發電源管理方案，進行即時監測電力狀態與充電裝置之適配，大幅提升智慧電力管理之應用，達成智慧城市建立之願景。
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電子與光電 未來科技展 碳化矽單晶片功率系統平台
研發碳化矽單晶片功率系統平台，包含低壓CMOS元件與邏輯電路、高壓BCD元件與驅動電路、垂直型高功率超接面MOSFET 等元件、製程、電路之整合技術，各項規格均超越現有國際水準。可應用於能源網路、軌道運輸、新能源汽車、地質探勘、航太國防等產業。
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未來科技館 新型高頻、高功率氮化鎵電晶體技術
"一、高功率氮化鎵元件 新設計常關型閘極氧化層堆疊與氧化鋯鉿氧化層結合，高電流（770mA/mm）與高耐壓（830V）。 二、高頻氮化鎵元件 新專利步進機二次曝光技術，達到超小線寬，操作頻率達200GHz。 三、高效率無線快充與模組 本實驗群利用頻率共振原理、E類放大器以及高頻整流實現一對多遠距快充
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