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電子與光電 未來科技館 一種具有超高性能之超晶格自旋轉移力矩磁阻式記憶體SS-MRAM
本發明超晶格磁阻式記憶體SS-MRAM，主要使用人造超晶格材料做為勢壘層。SS-MRAM集聚SRAM、 DRAM與Flash之優點，包含高速讀寫、低讀寫耗能、高耐久性、元件尺寸小、非揮發性、無漏電、及零待機耗能等。並且具有與目前製程相容、製造容易、及高可靠性等特性。為一具有超高性能之下世代記憶體。
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未來科技館 與CMOS技術完全整合無須額外光罩高效節能低成本的新型態「介電質熔絲潰單次編程記憶體晶片」
dFuse OTP之技術簡介:1.為首次發現的創新技術與傳統上OTP的anti-Fuse, eFuse, 和charge-storage儲存機制完全不同2.具備完整的專利保護3.與CMOS製程完全相容且不需額外光罩3.面積更小成本更低3.已在台灣前兩大foundries試量產成功.
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未來科技館 應用於可見光網路通訊之多組態光感測記憶體
「可見光網路通訊」因具有寬波段及可搭配固態照明裝置的優勢，成為下世代網路通訊的最佳候選科技。本技術展示以薄膜電晶體為架構之新型多組態光感測記憶體，將可見光通訊所需之感光元件、運算元件以及記憶元件合而為一，不僅簡化製作程序，降低成本，微縮體積，更可加速傳輸速度，進一步推展未來行動通訊裝置之先進功能。
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未來科技館 搭載畫素內嵌記憶體之低溫複晶矽氧化物薄膜電晶體陣列技術於超高解析度節能近眼穿戴顯示裝置應用
本團隊所提出的新穎低溫複晶矽氧化物薄膜電晶體組成的高電壓增益反相器與畫素開關/驅動元件，可大幅提升近眼顯示裝置解析度，同時結合導電橋式記憶體內嵌畫素電路，更能有效降低顯示電路的功耗。本技術可應用於超高解析VR/AR近眼穿戴顯示裝置，並滿足窄邊框、超高解析度以及智慧節能等技術需求。
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電子與光電 未來科技展 具動態密鑰之高安全性晶片測試技術
本技術提出一種高安全性之晶片測試架構防護技術，可以在測試時以動態方式產生密鑰，在不降低系統性能和可測試特性的情況下，本技術可有效抵禦針對掃描鏈和記憶體的攻擊。且由於本技術之動態特性，其安全等級遠高於所有現有技術，且無論攻擊者嘗試多少次密鑰猜測，本技術之安全等級亦不會降低。
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AI與IOT應用 未來科技展 應用於低功耗終端裝置的仿神經智慧視覺系統
1.低功耗智慧視覺影像感測晶片 2.基於仿神經智慧之低延遲低功耗深度學習晶片實現 (與張孟凡教授所執行之科技部計畫"低功耗智慧型記憶體電路之探索"(MOST 108-2622-8-007-009)合作) 3.模擬昆蟲視覺與空間感知系統之仿神經網路與晶片 4.仿神經智慧晶片軟硬體
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AI與IOT應用 未來科技展 下世代尖端MRAM技術-邁向低耗能、高頻、與零場操作之自旋軌道矩
針對三種MRAM [1]自旋轉移矩(spin-transfer torque, STT)型、[2]自旋軌道矩型(spin-orbit torque, SOT)以及 [3]電場控制型(voltage control magnetic anisotropy,VCMA)進行研究並與產業結合。
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未來科技館 用於智慧生活的靜態與動態視覺關鍵技術
"(1)動態視覺感測器可達到待機狀態低功耗且可分辨出移動中之物體並輸出其邊緣資料 (2)基於記憶體內運算實現仿神經架構以加速神經網路，降低系統延遲並提高能源效率 (3)以視覺為基礎結合本體感知之仿神經障礙物偵測演算法，具有快速低功耗之特性 (4)次世代記憶體內運算AI晶片、次世代無人機關鍵主晶片軟硬
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