-
-
未來科技館 高質化石墨烯晶圓於下世代半導體之磊晶應用
本技術可大面積合成高品質石墨烯，以高密度繞捲方式，搭配特殊設計之柔性擴散層，克服成產率限制，並發展超潔淨轉印技術，獲得高質化之石墨烯晶圓，並達工業化與市場化之需求。同時發展六吋石墨烯矽晶圓，延伸於磊晶基板，可解決藍寶石基板散熱不佳、Si基板晶格不匹配與SiC、GaN基板價格昂貴的瓶頸。
-
-
-
先進材料&綠能 未來科技展 先進原子層材料與模組技術
隨著摩爾定律的快速發展，現今半導體技術已演進至小於10 nm的技術節點，材料與元件的關鍵尺寸將進入原子等級精準度的要求。因此本計畫開發各式原子層技術，包含原子層沉積、原子層退火、原子層磊晶、以及原子層蝕刻等等，以實現具有小於1nm精準度之材料沉積、退火、成長、以及蝕刻等先進半導體製程技術。
-
-
-
電子與光電 未來科技展 小型化氮化鎵高效率轉換器及變壓器:晶片、元件到應用系統
採用寬能隙元件(GaN HEMT)建構的高功率轉換器應用。技術面由6-吋晶片開始研發到系統端應用，涵蓋6-吋矽基GaN磊晶層之優化，如磊晶緩衝層厚度和通道層。到元件製程開發跟模型建立，也利用TSMC E-mode GaN HEMT和NDL E/D-mode實現積體電路設計之低側GaN HEMT邏輯閘
-
- 1
