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未來科技館 應用於太空電子之高抗輻射半導體技術
本技術使用氮化鎵及碳化矽半導體開發出可應用於太空電子之高抗輻射半導體技術。相較於矽材料，氮化鎵及碳化矽有大於10倍的崩潰電場、大於3倍的寬能隙及大於10倍的位移能特性，在高效率功率轉換及B5G/6G通訊上有極大的潛能並具有極佳的抗輻射能力，可廣泛應用於太空電子來輕量化電子系統及提高系統穩定性。
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未來科技館 應用第三代半導體之高功率密度先進電源
研究主題有先進電源、儲能技術、機電整合、電動車輛、電力控制等。基礎於現有研發基礎，聚焦於能源轉換效率、高電壓充電 (快充)、裝置小型化與輕量化、智慧電源管理方案等，搭配材料輕量化、以開發電源管理方案，進行即時監測電力狀態與充電裝置之適配，大幅提升智慧電力管理之應用，達成智慧城市建立之願景。
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電子與光電 未來科技展 碳化矽單晶片功率系統平台
研發碳化矽單晶片功率系統平台，包含低壓CMOS元件與邏輯電路、高壓BCD元件與驅動電路、垂直型高功率超接面MOSFET 等元件、製程、電路之整合技術，各項規格均超越現有國際水準。可應用於能源網路、軌道運輸、新能源汽車、地質探勘、航太國防等產業。
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