進階篩選

技術類別
  • 共有:5筆資料
  • 顯示:
  • 筆商品
    • 高解析度光學微影銀漿

      未來科技館 高解析度光學微影銀漿

      當今5G通訊電子元件對高解像化及高密度化的金屬線路技術有強烈需求。常用的網版印刷以大約一百微米為解析度極限,無法滿足四十微米以下線寬/線距的解析度要求。本團隊與勤凱公司合作,共同開發新一代可商用銀漿料,相容於光學微影技術,能達到線寬5微米/線距13微米的最佳解析度。操作簡便且效能媲美歐美日大廠。
    • 突破物聯網的最後一哩:無晶片射頻辨識

      電子與光電 未來科技館 突破物聯網的最後一哩:無晶片射頻辨識

      本研究目的為國內、外首度實現無晶片射頻辨識於特定應用,以無晶片標籤紀錄圖書館書籍的入藏號碼;不僅系統建置成本遠比傳統射頻辨識低,人力與時間成本也可縮減,管理效率大幅增加。本技術也拓展至物聯網,為感測器路、定位、票卷防偽、醫療衛生、食品安全等應用提供前瞻技術。
    • 創新無線定位與追蹤系統

      電子與光電 未來科技展 創新無線定位與追蹤系統

      iTech是由國立臺灣大學的毛紹綱教授創立的,他是無線通訊和信號處理領域的專家。它的科技已經在Macronix金獎矽獎中得到認可。iTech是採用人工智慧科技的先驅,該科技結合了高效的硬體架構和訊號處理器。
    • 共面波導接地面缺陷裝置

      電子與光電 創新發明館 共面波導接地面缺陷裝置

      本發明提供一種具濾波特性的共面波導接地面缺陷裝置。本發明的共面波導結構,藉簡單的缺陷結構產生自身共振特性,並形成電容、電感與電阻彼此並聯的等效電路,以獲得所需之通-禁帶特性、洩漏波特性以及慢波特性。
    • 新型高頻、高功率氮化鎵電晶體技術

      未來科技館 新型高頻、高功率氮化鎵電晶體技術

      "一、高功率氮化鎵元件 新設計常關型閘極氧化層堆疊與氧化鋯鉿氧化層結合,高電流(770mA/mm)與高耐壓(830V)。 二、高頻氮化鎵元件 新專利步進機二次曝光技術,達到超小線寬,操作頻率達200GHz。 三、高效率無線快充與模組 本實驗群利用頻率共振原理、E類放大器以及高頻整流實現一對多遠距快充
  • 1