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未來科技館 應用於太空電子之高抗輻射半導體技術
本技術使用氮化鎵及碳化矽半導體開發出可應用於太空電子之高抗輻射半導體技術。相較於矽材料，氮化鎵及碳化矽有大於10倍的崩潰電場、大於3倍的寬能隙及大於10倍的位移能特性，在高效率功率轉換及B5G/6G通訊上有極大的潛能並具有極佳的抗輻射能力，可廣泛應用於太空電子來輕量化電子系統及提高系統穩定性。
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未來科技館 立方衛星上的CMOS黑白影像感測晶片
本計畫為第三期遙測衛星CMOS影像感測器(CIS)開發整合計畫，主要演進為對地解析能力提升為0.5米；設計上導入CMOS時間延遲積分(TDI)新架構，背照式CIS 0.13 μm製程，並加強晶片抗輻射能力；本計畫並自主開發晶片量測平台與數據分析技術，建立自我驗證能力，以加速技術研究發展進程。
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