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電子與光電 未來科技館 低溫半導體缺陷消除技術
本團隊自主開發一種新的半導體製程技術與設備，能在低溫下（<250攝氏度）消除半導體元件中的材料缺陷，進而使半導體元件的特性提升、可靠度改善，該技術已多種半導體元件如LED、GaN 功率元件、SiC MOSFET上進行測試，都有明顯的特性提升效果。
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未來科技館 高質化石墨烯晶圓於下世代半導體之磊晶應用
本技術可大面積合成高品質石墨烯，以高密度繞捲方式，搭配特殊設計之柔性擴散層，克服成產率限制，並發展超潔淨轉印技術，獲得高質化之石墨烯晶圓，並達工業化與市場化之需求。同時發展六吋石墨烯矽晶圓，延伸於磊晶基板，可解決藍寶石基板散熱不佳、Si基板晶格不匹配與SiC、GaN基板價格昂貴的瓶頸。
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未來科技館 應用於太空電子之高抗輻射半導體技術
本技術使用氮化鎵及碳化矽半導體開發出可應用於太空電子之高抗輻射半導體技術。相較於矽材料，氮化鎵及碳化矽有大於10倍的崩潰電場、大於3倍的寬能隙及大於10倍的位移能特性，在高效率功率轉換及B5G/6G通訊上有極大的潛能並具有極佳的抗輻射能力，可廣泛應用於太空電子來輕量化電子系統及提高系統穩定性。
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未來科技館 摩擦攪拌銲接模組化刀把
本技術設計一種模組化的摩擦攪拌銲接刀把。此銲接刀把整合了多種功能，包括恆壓力、溫度監控，可拆換式刀具設計，並可被夾持設置於現有的中心加工機。優點是可以在一台機器實現全自動交換進行摩擦攪拌銲接與CNC铣削的功能，突破以往摩擦攪拌銲接需買摩擦攪拌銲接專機，取得成本昂貴。
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AI與IOT應用 未來科技展 下世代尖端MRAM技術-邁向低耗能、高頻、與零場操作之自旋軌道矩
針對三種MRAM [1]自旋轉移矩(spin-transfer torque, STT)型、[2]自旋軌道矩型(spin-orbit torque, SOT)以及 [3]電場控制型(voltage control magnetic anisotropy,VCMA)進行研究並與產業結合。
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電子與光電 未來科技展 應用於遙測衛星之黑白CMOS時間延遲積分影像感測器設計
本計畫為第二代遙測衛星CMOS影像感測器(CIS)開發整合計畫，主要演進為其對地解析能力(GSD)規格從2米提升為小於1米。設計上導入CMOS 時間延遲積分(TDI)技術，在晶片實現上採用背照式(BSI) CIS 0.11um製程搭配光罩拼接技術進行大尺寸12 公分之CMOS影像感測器的製作。
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未來科技館 立方衛星上的CMOS黑白影像感測晶片
本計畫為第三期遙測衛星CMOS影像感測器(CIS)開發整合計畫，主要演進為對地解析能力提升為0.5米；設計上導入CMOS時間延遲積分(TDI)新架構，背照式CIS 0.13 μm製程，並加強晶片抗輻射能力；本計畫並自主開發晶片量測平台與數據分析技術，建立自我驗證能力，以加速技術研究發展進程。
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先進材料&綠能 未來科技展 CMOS單光子偵測器之車用光學雷達
本技術可用於先進駕駛輔助系統及自動駕駛。目前行車環境3D感測主要利用光學雷達(LiDAR)，但其單價過高無法被市場接受。我們採用更為敏感的CMOS單光子偵測器陣列，將偵測所需光子數降低到十以下，藉此突破光達應用的成本障礙，建立低成本高性能的光學雷達模組，達成迅速可靠的3D感測技術，提升產業的競爭力。
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電子與光電 未來科技館 大面積及高色純度紫光及綠光鈣鈦礦發光二極體
有別以往單一溶液或蒸鍍法，我們結合熱蒸鍍和旋轉塗佈法各自優點，製作出大面積9平方公分鈣鈦礦LED元件，其啟動電壓約為1.5 V、電激發波長在405 nm及538 nm、頻譜半高寬為22.8 nm、色純度為95，除此之外，元件壽命可達一小時以上，這顯示結合熱蒸鍍和旋轉塗佈法在大面積元件有優勢。
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電子與光電 未來科技展 碳化矽單晶片功率系統平台
研發碳化矽單晶片功率系統平台，包含低壓CMOS元件與邏輯電路、高壓BCD元件與驅動電路、垂直型高功率超接面MOSFET 等元件、製程、電路之整合技術，各項規格均超越現有國際水準。可應用於能源網路、軌道運輸、新能源汽車、地質探勘、航太國防等產業。
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未來科技館 智慧型電化學阻抗生物感測晶片平台
本技術使用電晶片開發技術，結合半導體製程、特殊生物電容與資通訊科技。半導體生物感測晶片具有高再現性、準確性與穩定性。此外所研發可攜式電阻抗儀器，能夠快速於任意地點完成檢測並將數據透過IoT系統上傳雲端，藉由AI或用戶判斷，能夠即時決策並採取措施，達到即時檢測與精準醫療的目標。
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未來科技館 智慧型可攜式極低功耗氣體感測晶片與應用(I+-NOSE)
一全新且符合IC製程的氣體感測晶片製造技術；晶片上奈米電子元件低參雜區，成長不同氣體感測材料，形成氣體感測陣列。氣體感測時，個別奈米元件以焦耳熱自熱工作，降低感測功率消耗至微瓦/元件，解決目前氣體感測器高功率消耗問題，並與智慧裝置結合。經溫、溼度與干擾氣體的自我校正，解決定量、專一性與靈敏度等問題。
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未來科技館 原子厚度的二維半導體元件
結合不同特性材料所製成的複合材料，由於它能發揮一加一遠大於二的效果，近年來，已經可以在各種包含航空、醫學、機械、建築等應用上發現它的蹤跡。本研究中我們利用單層二硒化鎢半導體與鐵酸鉍氧化物所組成的二維複合材料，展示了調控二維材料電性無需金屬電極的加入，就能達到二極體的效果。
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未來科技館 新世代太陽能電池之阻水氣封裝膜技術開發
利用有機層與有機無機層堆疊於封裝膜上以達到超高阻水阻氣效果，低於10e-5 (g/m2/day)，可應用於各式的軟性電子產品，並由Batch-to-Batch 批次製程，演進到Tray-to-Tray 量產批次製程，目前以Roll-to-Roll 卷對卷製程接近商轉準備。
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未來科技館 可攜式液相層析質譜儀
我們利用離子阱原理使得抽氣馬達需求大幅度減低，所以可以做到輕便可攜式。質譜儀的質量範疇可以從原子到細胞，因為我們掃描頻率，因此質量範疇可以增加100億倍。我們的液相層析儀檢測器是LED，不需要傳統的光柵(grating)，因此重量體積大幅度減輕，造價也較便宜。
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未來科技館 搭載畫素內嵌記憶體之低溫複晶矽氧化物薄膜電晶體陣列技術於超高解析度節能近眼穿戴顯示裝置應用
本團隊所提出的新穎低溫複晶矽氧化物薄膜電晶體組成的高電壓增益反相器與畫素開關/驅動元件，可大幅提升近眼顯示裝置解析度，同時結合導電橋式記憶體內嵌畫素電路，更能有效降低顯示電路的功耗。本技術可應用於超高解析VR/AR近眼穿戴顯示裝置，並滿足窄邊框、超高解析度以及智慧節能等技術需求。
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