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氮化鎵
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精準健康生態系 未來科技館 多層次酸鹼應變脫殼及標靶胜肽修飾之細胞核和粒線體雙靶向奈米粒可針對多種癌症遞送抗癌藥物和基因療法之技術平台
開發pH應答型奈米粒，具有可脫離之外殼層和多功能胜肽修飾，並有主動靶向、同時組合遞送基因和化療藥物的特性，故提供了pH系統和化療藥物合用的新型治療平台，可在適當的時間及地點，有效運送藥物標的到細胞核或粒線體，並同步抑制腫瘤的多重訊息傳遞路徑，所以極具潛力可提高癌症療法的成功率和安全性。
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先進材料&綠能 未來科技館 應用無機奈米纖維技術促進生技發展
透過濕度調控的靜電紡絲與高溫退火技術來製備具有表面和界面缺陷的無機多孔性奈米纖維。在不同波長的光源(380~780 nm)照射下，可將儲存於價帶之束縛電子激發至導帶於材料表面形成自由電子，產生不同強度的微電流、光敏感能力和微電流變化。因為本技術具高獨特性與高產品相容性，使其可應用的市場領域非常廣泛。
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先進材料&綠能 未來科技館 (test)應用無機奈米纖維技術促進生技發展
透過濕度調控的靜電紡絲與高溫退火技術來製備具有表面和界面缺陷的無機多孔性奈米纖維。在不同波長的光源(380~780 nm)照射下，可將儲存於價帶之束縛電子激發至導帶於材料表面形成自由電子，產生不同強度的微電流、光敏感能力和微電流變化。因為本技術具高獨特性與高產品相容性，使其可應用的市場領域非常廣泛。
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未來科技館 新型高頻、高功率氮化鎵電晶體技術
"一、高功率氮化鎵元件 新設計常關型閘極氧化層堆疊與氧化鋯鉿氧化層結合，高電流（770mA/mm）與高耐壓（830V）。 二、高頻氮化鎵元件 新專利步進機二次曝光技術，達到超小線寬，操作頻率達200GHz。 三、高效率無線快充與模組 本實驗群利用頻率共振原理、E類放大器以及高頻整流實現一對多遠距快充
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電子與光電 未來科技展 小型化氮化鎵高效率轉換器及變壓器:晶片、元件到應用系統
採用寬能隙元件(GaN HEMT)建構的高功率轉換器應用。技術面由6-吋晶片開始研發到系統端應用，涵蓋6-吋矽基GaN磊晶層之優化，如磊晶緩衝層厚度和通道層。到元件製程開發跟模型建立，也利用TSMC E-mode GaN HEMT和NDL E/D-mode實現積體電路設計之低側GaN HEMT邏輯閘
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未來科技館 應用於太空電子之高抗輻射半導體技術
本技術使用氮化鎵及碳化矽半導體開發出可應用於太空電子之高抗輻射半導體技術。相較於矽材料，氮化鎵及碳化矽有大於10倍的崩潰電場、大於3倍的寬能隙及大於10倍的位移能特性，在高效率功率轉換及B5G/6G通訊上有極大的潛能並具有極佳的抗輻射能力，可廣泛應用於太空電子來輕量化電子系統及提高系統穩定性。
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未來科技館 應用第三代半導體之高功率密度先進電源
研究主題有先進電源、儲能技術、機電整合、電動車輛、電力控制等。基礎於現有研發基礎，聚焦於能源轉換效率、高電壓充電 (快充)、裝置小型化與輕量化、智慧電源管理方案等，搭配材料輕量化、以開發電源管理方案，進行即時監測電力狀態與充電裝置之適配，大幅提升智慧電力管理之應用，達成智慧城市建立之願景。
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電子與光電 未來科技展 單晶片量子點混合型微型發光二極體全彩畫素陣列
採用奈米尺度的蝕刻技術，在商用的綠光二極體磊晶片製作環形奈米結構，以應力釋放機制調變發光波長，於單一磊晶片上製作出綠光和藍光的微型發光二極體，並導入原子層沉積鈍化保護技術，大幅提升發光效率，最後結合高精準度的量子點噴塗技術，實現微米級RGB三原色的全彩畫素，本技術可望大幅減少巨量轉移的次數。
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未來科技館 成長於低阻SiC基板上之常關型p-GaN HEMT利用AlGaN cap層實現高閘極可靠度表現
本團隊在低阻值且零度角度的SiC基板上成長p-GaN HEMT，並且利用寬能隙材料AlGaN做為蓋帽層，藉此可以有效抑制電洞注入，達到提升閘極可靠度的目的。另外，本團隊選用零度角以及低阻值的SiC基板，除了可以大幅減少異質接面造成的晶格錯位缺陷之外，同時也大幅降低了整體成本。
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