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先進材料&綠能
未來科技館
(test)應用無機奈米纖維技術促進生技發展
透過濕度調控的靜電紡絲與高溫退火技術來製備具有表面和界面缺陷的無機多孔性奈米纖維。在不同波長的光源(380~780 nm)照射下,可將儲存於價帶之束縛電子激發至導帶於材料表面形成自由電子,產生不同強度的微電流、光敏感能力和微電流變化。因為本技術具高獨特性與高產品相容性,使其可應用的市場領域非常廣泛。
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AI與IOT應用
未來科技館
5D智慧城市─SmartES平台
獨創5D智慧數位空間─以3D城市實景模型為基礎,融入時間資訊(4D)與鏈結真實世界佈設的各類感測器,透過5G/4G低延時傳送技術,打造實虛整合的5D+5G智慧城市SmartES平台,並落實在智慧防災、智慧交通、智慧能源、智慧環境,成為真實城市的數位分身。
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AI與IOT應用
未來科技館
通曉運算量之AI模型架構優化、即時運算實現與資料集標註系統
1. 運算量優化模型架構: 提出新模型架構Agilev3-L,複合指標171.79。 2. GOP加速技術與即時運算: 以Agilev3-L於nano平台上實現,加入GOP mode 演算法,使得FPS由原先的3.91優化到27.09。3. 資料集標註系統: 建立快速資料標註系統。
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先進材料&綠能
未來科技展
先進原子層材料與模組技術
隨著摩爾定律的快速發展,現今半導體技術已演進至小於10 nm的技術節點,材料與元件的關鍵尺寸將進入原子等級精準度的要求。因此本計畫開發各式原子層技術,包含原子層沉積、原子層退火、原子層磊晶、以及原子層蝕刻等等,以實現具有小於1nm精準度之材料沉積、退火、成長、以及蝕刻等先進半導體製程技術。
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電子與光電
未來科技展
單晶片量子點混合型微型發光二極體全彩畫素陣列
採用奈米尺度的蝕刻技術,在商用的綠光二極體磊晶片製作環形奈米結構,以應力釋放機制調變發光波長,於單一磊晶片上製作出綠光和藍光的微型發光二極體,並導入原子層沉積鈍化保護技術,大幅提升發光效率,最後結合高精準度的量子點噴塗技術,實現微米級RGB三原色的全彩畫素,本技術可望大幅減少巨量轉移的次數。
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未來科技館
智慧型可攜式極低功耗氣體感測晶片與應用(I+-NOSE)
一全新且符合IC製程的氣體感測晶片製造技術;晶片上奈米電子元件低參雜區,成長不同氣體感測材料,形成氣體感測陣列。氣體感測時,個別奈米元件以焦耳熱自熱工作,降低感測功率消耗至微瓦/元件,解決目前氣體感測器高功率消耗問題,並與智慧裝置結合。經溫、溼度與干擾氣體的自我校正,解決定量、專一性與靈敏度等問題。
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