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精準健康生態系 未來科技館 多層次酸鹼應變脫殼及標靶胜肽修飾之細胞核和粒線體雙靶向奈米粒可針對多種癌症遞送抗癌藥物和基因療法之技術平台
開發pH應答型奈米粒，具有可脫離之外殼層和多功能胜肽修飾，並有主動靶向、同時組合遞送基因和化療藥物的特性，故提供了pH系統和化療藥物合用的新型治療平台，可在適當的時間及地點，有效運送藥物標的到細胞核或粒線體，並同步抑制腫瘤的多重訊息傳遞路徑，所以極具潛力可提高癌症療法的成功率和安全性。
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先進材料&綠能 未來科技館 應用無機奈米纖維技術促進生技發展
透過濕度調控的靜電紡絲與高溫退火技術來製備具有表面和界面缺陷的無機多孔性奈米纖維。在不同波長的光源(380~780 nm)照射下，可將儲存於價帶之束縛電子激發至導帶於材料表面形成自由電子，產生不同強度的微電流、光敏感能力和微電流變化。因為本技術具高獨特性與高產品相容性，使其可應用的市場領域非常廣泛。
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先進材料&綠能 未來科技館 (test)應用無機奈米纖維技術促進生技發展
透過濕度調控的靜電紡絲與高溫退火技術來製備具有表面和界面缺陷的無機多孔性奈米纖維。在不同波長的光源(380~780 nm)照射下，可將儲存於價帶之束縛電子激發至導帶於材料表面形成自由電子，產生不同強度的微電流、光敏感能力和微電流變化。因為本技術具高獨特性與高產品相容性，使其可應用的市場領域非常廣泛。
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未來科技館 低溫常壓銅接合技術之開發
為因應日趨多元的功率元件工作環境，功率元件構裝材料需承受高溫、高壓與高電流密度的使用情境。本技術開發出兩種低溫接合材料，分別為奈米銅膠與銅錫膠。製備過程與膠體使用無毒化學藥品。兩種材料能在低溫、無外加壓力與還原氣氛輔助下接合銅基板，接合後形成高熔點、高熱穩定性及機械性質優異的接點。
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電子與光電 未來科技館 低溫半導體缺陷消除技術
本團隊自主開發一種新的半導體製程技術與設備，能在低溫下（<250攝氏度）消除半導體元件中的材料缺陷，進而使半導體元件的特性提升、可靠度改善，該技術已多種半導體元件如LED、GaN 功率元件、SiC MOSFET上進行測試，都有明顯的特性提升效果。
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未來科技館 搭載畫素內嵌記憶體之低溫複晶矽氧化物薄膜電晶體陣列技術於超高解析度節能近眼穿戴顯示裝置應用
本團隊所提出的新穎低溫複晶矽氧化物薄膜電晶體組成的高電壓增益反相器與畫素開關/驅動元件，可大幅提升近眼顯示裝置解析度，同時結合導電橋式記憶體內嵌畫素電路，更能有效降低顯示電路的功耗。本技術可應用於超高解析VR/AR近眼穿戴顯示裝置，並滿足窄邊框、超高解析度以及智慧節能等技術需求。
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未來科技館 奈米雙晶銅應用於低溫/快速銅-銅接合與高韌性銅導線
電鍍111奈米雙晶銅，能提升銅接點的電與機械性質，成為下一世代的銅接點的重要材料。能夠應用在三種領域 1. 低熱預算/低電阻銅對銅直接接合 我們能在300℃時大約5秒的時間後立即完成接合，同時達到低的接觸電阻。五秒能完成銅-銅接合，目前是文獻最快的世界紀錄 2. 高韌性銅導線 3. 鋰電池銅箔
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先進材料&綠能 未來科技館 低溫鎂儲氫材料與儲能應用
本技術團隊研發可吸氫5.0 wt%的鎂儲氫材料，由幫浦輔助增強在低溫250℃脫氫動力速率，進行循環吸放氫實驗，所釋放的氫氣供應至高溫質子交換膜電池(HT-PEMFC,160℃)發電。
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未來科技館 廢棄物回收碳轉化高價值石墨(烯)奈米粉體技術
本發明”綠色環保石墨(烯)奈米粉體熔鹽電化學製備技術”製程是由FFC劍橋鈦金屬冶煉法改良而得，可行性高且具商業應用與工業化潛力，且與相比傳統合成石墨化製程，可在相對低溫(850°C)且時間更短(6~12小時)的時間內將無定型碳黑轉化為高應用價值之石墨。
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電子與光電 未來科技展 魔磁學院光子源 - 磁之領域的專業顧問
國輻中心為國際間頂尖磁鐵相關設計的團隊之一，從磁場模擬設計、機構製造與磁場量測都能精確掌握，相關技術包括電磁鐵技術、永久磁鐵技術、真空技術、低溫技術與超導技術。
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未來科技館 電漿噴塗金屬支撐型固態氧化物燃料電池片
核研所克服大氣電漿噴塗技術之瓶頸，利用該技術之多變性，成功製備具有緻密電解質層與奈米孔洞結構之電極於金屬支撐型固態氧化物燃料電池片中，該電池片顯露之性能兼具高發電效率、高穩定性、耐氧化還原以及耐熱衝擊與機械震動，除固定型裝置外，可被裝載於汽車、船舶等有電力需求之場合。
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先進材料&綠能 未來科技展 解析蝦白尾症病毒結構 養殖業再現曙光 - 阻隔病毒之光柵
利用大腸桿菌表現系統、外鞘蛋白體外組裝、X光蛋白質結晶學及冷凍電子顯微鏡，已成功解析T=3 蝦白尾症病毒外鞘結構，將可提供完整的病毒外鞘構造模型以及瞭解病毒組裝和感染之機制。
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電子與光電 未來科技展 應用晶粒控制技術之積層型3D-IC
結晶矽晶粒邊界控制技術係先在絕緣層上蝕刻出規則孔洞，成長一定厚度非晶矽薄膜後，以奈秒雷射加熱熔融非晶矽形成結晶矽薄膜，由於製程中孔洞相對溫度較低，矽薄膜先從孔洞底側向結晶；最後結晶矽薄膜晶粒可控制在預先設計的規則孔洞圖案之間，製作元件於矽晶粒中可提高晶片效能及良率，以利商品化及量產積層型3D晶片。
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先進材料&綠能 未來科技展 先進原子層材料與模組技術
隨著摩爾定律的快速發展，現今半導體技術已演進至小於10 nm的技術節點，材料與元件的關鍵尺寸將進入原子等級精準度的要求。因此本計畫開發各式原子層技術，包含原子層沉積、原子層退火、原子層磊晶、以及原子層蝕刻等等，以實現具有小於1nm精準度之材料沉積、退火、成長、以及蝕刻等先進半導體製程技術。
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