ULTRARAM™是一項革命性的記憶體技術,具備通用記憶體的矛盾特性:像快閃記憶體一樣的非揮發性,並且效能預期超越DRAM。它非常節能,切換能耗比現有的記憶體技術低好幾個數量級,且耐用性極佳。這種前所未見的特性組合是透過利用6.1Å族的III-V族化合物半導體中的量子共振穿隧效應來實現的。