極高介電係數閘極堆疊整合高層數堆疊通道，有9200μA/μm與360μA紀錄電流；堆疊鍺矽奈米片鐵電場效電晶體，低寫入電壓(2V)、高記憶窗口(1.8V)、高遲滯時間(1E4秒)、高反覆操作耐受力(1E11 cycles)；非晶相銦鎵鋅氧閘極環繞式奈米片，有接近物理極限之SS(61mV/dec)。

成功將極高介電係數閘極堆疊整合八層堆疊高遷移率鍺矽通道奈米線與奈米片，電晶體擁有世界紀錄驅動電流；第一個堆疊式鍺矽奈米片閘極環繞式鐵電場效電晶體，記憶窗口與低寫入電壓、高記憶窗口寫入和清除電壓比值領先世界之成果；第一個非晶相銦鎵鋅氧閘極環繞式奈米片場效電晶體，其SS、VT正值、漏電流領先世界之成果。

延長堆疊奈米片壽命，用高遷移率通道、高層數堆疊通道、高介電係數介電層，提高電晶體效能。希望用於超越2奈米；CMOS製程相容之鐵電電晶體為嵌入式非揮發性場效記憶體，有低寫入電壓高記憶窗口特性，低功耗記憶體應用；a-IGZO製程溫度低，可用於單體3D堆疊、2T0C DRAM、鐵電電晶體、記憶體內運算。