捨去傳統以稍高硬度之鑽石顆粒，硬碰硬損傷、削掘表面達到研磨薄化方式，我們首先以電化學製程選擇性蝕去晶體結構中特定成分原子（矽），使基板依照輸入之電量呈現一定深度之海綿狀結構，再以一般性柔軟性磨料移除此海綿狀結構，而能在實心/海綿分界處停止薄化，達到可控性、準確、快速薄化碳化矽目的。

揚棄傳統強壓應力的切削研磨技術，本技術以電化學理論發展新式碳化矽薄化技術。本技術能根據法拉第電解定律，用輸入電量精準控制擬移去材料之厚度。在電化學製程中選擇性移除碳化矽結構中矽原子，留下碳原子骨架，大幅弱化基板強度。經XRD和晶格間距檢測確定，研拋液中懸浮粒為氟化石墨烯(GF)，具有高度回收價值。

碳化矽為發展高電壓、高功率半導體元件最重要的第三類半導體基板材料。以電動車產業使用碳化矽功率半導體晶片數量最高。知名市調專家Yole預測2027年電動車產量高達5000萬輛！依照兩部車需消耗六吋碳化矽晶圓一片來估算，需要量即高達2500萬片！因此高效率碳化矽基板薄化製程的發展是有急迫性與必須性！